[发明专利]钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法、涂层、种植体

权利要求书

1.一种钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法，其特征在于首次结合氧等离子处理和硅烷化反应化学固定抗菌剂，所述钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法包括以下步骤：

步骤一，对钛表面进行抛光清洁；

步骤二，低温氧等离子体处理钛表面；

步骤三，构建硅烷化反应体系；

步骤四，将钛种植体样本置于硅烷化反应体系中，形成有机硅季铵盐和羟基共价结合的钛表面。

2.如权利要求1所述的钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法，其特征在于，步骤二中，所述低温氧等离子体处理钛表面，形成具有具有高表面生物活性和大量羟基的钛表面，包括：

使用纯氧作为处理气体，对抛光清洁后的钛材料表面进行5-60min低温氧等离子体处理。

3.如权利要求2所述的钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法，其特征在于，所述等离子体处理的条件为：720V，25mA，18W。

4.如权利要求1所述的钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法，其特征在于，步骤三中，所述构建硅烷化反应体系，包括：

4%体积分数的十八烷基二甲基三甲氧基硅烷基氯化铵ODDMAC，2%丙胺，94%环己烷。

5.如权利要求1所述的钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法，其特征在于，步骤四中，所述将钛片样本置于硅烷化反应体系中，形成有机硅季铵盐和羟基共价结合的钛表面，包括：

将钛片样本置于硅烷化反应体系中于80℃条件下处理1-2小时，将有机硅季铵盐共价结合至富有羟基的钛表面。

6.如权利要求5所述的钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法，其特征在于，所述有机硅季铵盐中的-SiOCH₃基团与羟基化的钛表面Ti-OH基团形成氢键，后加热脱水形成Si-O-Ti共价键，实现抗菌剂的共价连接。

7.一种抗菌改性种植体涂层，其特征在于，所述抗菌改性种植体涂层利用权利要求1~6任意一项所述的钛表面抗菌修饰并提高其生物活性的方法制备。

8.一种抗菌改性种植体，其特征在于，所述抗菌改性种植体沉积有权利要求7所述的抗菌改性种植体涂层。