[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓封装结构在审
申请号: | 202110588982.0 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113507037A | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 卢苗 | 申请(专利权)人: | 卢苗 |
主分类号: | H01S5/02315 | 分类号: | H01S5/02315;H01S5/02355;H01S5/02365 |
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地址: | 311100 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 器件 封装 结构 | ||
本发明公开了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构,涉及氮化镓领域,包括主封装箱,所述主封装箱的底面螺纹连接有支撑底块,所述主封装箱的两侧边对称焊接有固定侧板,所述固定侧板的一侧边螺栓连接有推动气缸,所述主封装箱的两侧边对称开设有侧卡槽,所述侧卡槽的内侧边卡接有活动推板,所述活动推板在远离固定侧板的一侧边水平焊接有延伸支杆,所述延伸支杆在远离活动推板的一端水平焊接有固定横杆,所述固定横杆的一侧边垂直焊接有底托板。本发明装置设计结构简单操作方便,在采用了热收缩的固定结构使得器件更加的稳定,同时在采用了双面热熔结构使得封装快速高效,且真空处理使得内部部件运行更加的稳定。
技术领域
本发明涉及氮化镓技术领域,具体是一种氮化镓器件及氮化镓封装结构。
背景技术
氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下,产生紫光(405nm)激光。
对于现在的氮化镓器件就是采用了塑料盒体进行装置,导致了在内部形成不稳定情况,且内部会有空气的掺杂使得元器件进行运行时受到一定的影响,而现在有的氮化镓器件在采用了塑封的结构进行固定时,需要采用封装设备,传统的封装设备需要将封装的外表皮进行放置到指定位置,直接性的进行挤压加热塑封,使得会有挤压到手的危险情况,让设备在进行运行时存在着一定的风险,同时在塑封时还是无法进行整体式的进行收缩塑封,使得对元器件造成了挤压的损坏风险,不利于对氮化镓器件进行封装工作。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮化镓器件及氮化镓封装结构,以解决上述背景技术中提出的对于现在的氮化镓器件就是采用了塑料盒体进行装置,导致了在内部形成不稳定情况,且内部会有空气的掺杂使得元器件进行运行时受到一定的影响,而现在有的氮化镓器件在采用了塑封的结构进行固定时,需要采用封装设备,传统的封装设备需要将封装的外表皮进行放置到指定位置,直接性的进行挤压加热塑封,使得会有挤压到手的危险情况,让设备在进行运行时存在着一定的风险,同时在塑封时还是无法进行整体式的进行收缩塑封,使得对元器件造成了挤压的损坏风险,不利于对氮化镓器件进行封装工作的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
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