[发明专利]一种低成本无线充线圈扩展电路有效

专利信息
申请号: 202110365028.5 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN113098093B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 赵智星;黄浩;詹海峰;杨譓鹏 申请(专利权)人: 湖南炬神电子有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02J50/40;H02J50/10
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 田春龙
地址: 423000 湖南省郴州市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 低成本 无线 线圈 扩展 电路
【权利要求书】:

1.一种低成本无线充线圈扩展电路,其特征在于,包括:全桥电路以及线圈扩展电路;

所述全桥电路包括:第一MOS管模块、电容模块和第一无线发射线圈,所述MOS管模块基于所述电容模块和第一无线发射线圈构成全桥导通并实现无线充电;

所述线圈扩展电路包括:若干组开关模块,每组开关模块包括一个第二MOS管模块和一个第二无线发射线圈;所述一个第二MOS管模块和一个第二无线发射线圈构成一组开关模块;

每个开关模块的第二MOS管模块的漏极端连接开关模块中的第二无线发射线圈,另一漏极端连接第一MOS管模块的源极;所述开关模块中的第二无线发射线圈的另一端连接电容模块;

所述第一MOS管模块包括6个MOS管,分别为第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第十MOS管和第十一MOS管,所述第三MOS管和第四MOS管的漏极分别连接电源输入端,第四MOS管的源极连接电容模块和第六MOS管的漏极,第六MOS管的源极为电流输出端;

所述第三MOS管的源极分别连接第七MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极,所述第七MOS管的源极为电流输出端;

所述第十一MOS管的源极连接第十MOS管的源极,第十MOS管的漏极连接所述第一无线发射线圈;所述第一无线发射线圈的另一端连接所述电容模块;所述第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极连接;

基于PID控制器算法调整脉冲宽度调制对第三MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第七MOS管的控制状态;

所述PID控制器算法公式如下:

其中,为MOS管的开通时间,为PID控制器的比例系数,为积分系数,为微分系数,为输出电压,为采样函数,为预设周期内的电压采样值;

所述调整脉冲宽度调制的占空比的计算公式如下:

其中,为占空比,为工作周期,为上限阈值,为下限阈值,为阶跃函数。

2.根据权利要求1所述的低成本无线充线圈扩展电路,其特征在于,所述第六MOS管的源极和第七MOS管的源极为电流输出端,包括:

所述第六MOS管的源极和第七MOS管的源极通过电阻连接接地端。

3.根据权利要求1所述的低成本无线充线圈扩展电路,其特征在于,所述第二MOS管模块包括两个MOS管,分别为第八MOS管和第九MOS管;

所述每个开关模块的第二MOS管模块的漏极端连接开关模块中的第二无线发射线圈,另一漏极端连接第一MOS管模块的源极,包括:

所述第一MOS管模块中的第三MOS管的源极连接所述第九MOS管的漏极,所述第九MOS管的源极连接所述第八MOS管的源极;所述第八MOS管的漏极连接所述开关模块中的第二无线发射线圈。

4.根据权利要求3所述的低成本无线充线圈扩展电路,其特征在于,所述第八MOS管的栅极和第九MOS管的栅极连接。

5.根据权利要求4所述的低成本无线充线圈扩展电路,其特征在于,当第一无线发射线圈处于工作状态时,所述第三MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第七MOS管处于脉冲宽度调制的控制状态,第十MOS管和第十一MOS管处于常开状态,第八MOS管和第九MOS管处于常闭状态;

当所述第二无线发射线圈处于工作状态时,所述第三MOS管、第四MOS管、第六MOS管和第七MOS管处于脉冲宽度调制的控制状态,第八MOS管和第九MOS管处于常开状态,第十MOS管和第十一MOS管处于常闭状态。

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