[发明专利]一种硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法

权利要求书

1.一种硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：

S1、将硅基CMOS驱动电路基板清洗干净后烘干，在进行阳极膜层沉积，得到基板I；

S2、对基板I进行阳极图形化作业，干刻，去胶后得到基板II；

S3、在基板II上进行DUV光刻胶图案化，涂胶使用DUV光刻胶，曝光使用阳极图形的掩膜版，曝光量要求大于阳极图形的曝光量，使DUV光刻胶过曝、显影，固化后DUV光刻胶形貌为正梯形，得到基板Ⅲ；

S4、在基板Ⅲ上进行像素定义层图形化作业，使用聚酰亚胺光刻胶充当像素定义层，胶厚0.8～1.0um，曝光显影后，聚酰亚胺光刻胶搭在DUV光刻胶上，显影时间为30～60s，得到基板Ⅳ；

S5、对基板Ⅳ进行DUV整面曝光、显影，将剩下的DUV光刻胶显掉，显影时间为30～60s，得到需求图形，聚酰亚胺光刻胶底部形成100～300A微倒梯形或直角，得到基板V。

2.如权利要求1所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述S2步骤中，在完成阳极沉积的基板上进行黄光作业，固化后光刻胶形貌为正梯形；在完成黄光的基板上进行干法刻蚀后，采用湿法去胶去除光刻胶。

3.如权利要求2所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述黄光作业，涂胶胶厚为0.6～1um，曝光显影后线距为0.4～0.8um。

4.如权利要求1所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述涂胶使用DUV光刻胶，胶厚为0.5～1um；显影后光刻胶线宽小于阳极线宽0.2～0.4um，形貌正梯形的角度在80°～90°。

5.如权利要求1所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述DUV整面曝光为不涂胶操作。