[发明专利]微型热电器件及其制备方法在审
申请号: | 202011221000.6 | 申请日: | 2020-11-05 |
公开(公告)号: | CN112331760A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 邰凯平;赵洋;乔吉祥;孙东明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L35/04 | 分类号: | H01L35/04;H01L35/14;H01L35/16;H01L35/18;H01L35/22;H01L35/32;H01L35/34 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 热电器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种微型热电器件,其特征在于,该热电器件包括底部基板、顶部基板和热电单元,底部基板的上方相对设置顶部基板,底部基板的顶部设置有图案化的功能层,功能层包括电极层、焊接涂层,其中:电极层沉积于底部基板的顶部、焊接涂层沉积于电极层的顶部;顶部基板的底部设置有图案化的功能层,功能层包括电极层、焊接涂层,其中:电极层沉积于顶部基板的底部、焊接涂层沉积于电极层的底部;
热电单元排布于底部基板和顶部基板之间,每个热电单元与底部基板、顶部基板对应的两端分别设置过渡层,底部基板通过其上的功能层与热电单元下端的过渡层连接,顶部基板通过其上的功能层与热电单元上端的过渡层连接。
2.按照权利要求1所述的微型热电器件,其特征在于,底部基板和顶部基板的长、宽在0.5mm~10mm之间;热电粒子的尺寸在0.05mm×0.05mm×0.05mm~2mm×2mm×5mm之间;微型热电器件的厚度在0.2~8mm之间。
3.按照权利要求1所述的微型热电器件,其特征在于,热电单元分为N型热电粒子和P型热电粒子,N型热电粒子和P型热电粒子呈图案化排布于底部基板和顶部基板之间,N型热电粒子和P型热电粒子沿横向和竖向均呈图案化间隔排列;底部基板上,每个功能层与一个N型热电粒子的过渡层和一个P型热电粒子的过渡层连接为一组;顶部基板上,每个功能层与底部基板上相邻两组之间的一个N型热电粒子的过渡层和一个P型热电粒子的过渡层连接为一组。
4.按照权利要求1所述的微型热电器件,其特征在于,过渡层分为三层结构,分别是靠近热电粒子的结合层、中间的缓冲过渡层和靠近焊接涂层的结合层。
5.按照权利要求4所述的微型热电器件,其特征在于,靠近热电粒子的结合层使用的材料:Ni、W、Nb、Mo、Ti或Cr,厚度为20nm~200nm;缓冲过渡层是多层膜或合金膜,使用的材料:Nb/Cu合金膜、Mo/Cu合金膜、W/Cu合金膜、Au/Cu合金膜、Ni-Au多层膜、Ti-Au多层膜或Cr-Au多层膜,厚度为100nm~500nm;靠近焊接涂层的结合层使用的材料:Au、Ag、Cu、Pt、Al、Ni、Sn或Bi,厚度为20nm~200nm。
6.按照权利要求1所述的微型热电器件,其特征在于,N型热电粒子和P型热电粒子使用的材料:Bi2Te3基半导体、PbX(X=S,Se,Te)基半导体、SiGe合金半导体、Mg2X(X=Si,Ge,Sn)基半导体、CoSb3基半导体、(Ti,Zr,Hf)CoSb基半导体、GaAs基半导体和半哈斯勒材料中的一种或两种以上;
底部基板和顶部基板使用的材料:氮化铝、氧化铝、氧化锆或硅氧化片;底部基板和顶部基板上的图案化的功能层中,电极层使用的材料:Au、Ag、Pt、Cu和Al中的一种或两种以上,焊接涂层使用的材料:导电银胶、Sn、含Sn的合金或导电焊料。
7.一种权利要求1至6之一所述的微型热电器件的制备方法,其特征在于,利用掩膜技术在底部基板和顶部基板上制备图案化的功能层,使用真空阵列吸附转移和图像识别技术,依次将N型热电粒子和P型热电粒子按设计好的排布规律转移到底部基板上,与焊接涂层接触;盖上制备有镀层的顶部基板,进一步通过加压、加热的方法实现热电器件的键合和电连接。
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