[发明专利]一种新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置

权利要求书

1.一种新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，与Orbitrap离子阱配合使用，其特征在于，该装置包括构成同心圆筒状的偏转外轨和偏转内轨，所述偏转外轨的电势高于所述偏转内轨的电势，所述偏转外轨和所述偏转内轨组成离子高势储存偏转腔O-trap，所述高势储存偏转腔O-trap的外端设有用以切向引入离子束的离子引入轨道，所述偏转内轨的中心处设有静电离子阱内电极，所述偏转内轨与所述静电离子阱内电极构成静电离子阱分析腔，所述偏转内轨上设有供离子引入静电离子阱分析腔中的离子变轨引入通道。

2.根据权利要求1所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，该装置还包括用以为所述偏转外轨提供直流电压的第一直流电源，用以为所述偏转内轨提供直流电压的第二直流电源，用以为所述偏转外轨提供脉冲偏转电压的第一脉冲电源，以及用以为所述静电离子阱内电极提供二次降轨脉冲电压的第二脉冲电源。

3.根据权利要求1所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，所述离子引入通道设于所述高势储存偏转腔O-trap外端，所述离子引入通道与所述偏转外轨、所述偏转内轨呈切向关系，离子切向引入所述高势储存偏转腔O-trap中。

4.根据权利要求2所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，离子束经所述离子引入通道切向地进入所述高势储存偏转腔O-trap中，并在所述第一直流电源和所述第二直流电源提供的电压作用下，储存于所述高势储存偏转腔O-trap中，所述第一脉冲电源为所述偏转外轨提供脉冲偏转电压，使离子经离子变轨引入通道，在高势储存偏转腔O-trap和静电离子阱分析腔之间做椭圆运动；所述第二脉冲电源为所述静电离子阱内电极提供二次降轨脉冲电压，实现离子再次变轨，并进入静电离子阱分析腔中做圆周运动。

5.根据权利要求1所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，所述离子变轨引入通道为所述偏转内轨上的一条开口狭缝。

6.根据权利要求5所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，所述离子变轨引入通道的弧度为[π–2π]。

7.根据权利要求1所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，所述偏转内轨与所述静电离子阱外电极共享同一电极。

8.根据权利要求4所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，所述第一脉冲电源所提供的脉冲偏转电压的幅值和周期根据离子偏转降轨需求进行手动或自动调节。

9.根据权利要求4所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，所述第二脉冲电源所提供的二次脉冲降轨电压的幅值和周期可根据离子偏转降轨需求进行手动或自动调节。

10.根据权利要求4所述的新型静电离子阱离子切向引入轨道偏转装置，其特征在于，所述离子做椭圆运动时，其椭圆轨道的一个焦点与所述Orbitrap离子阱的轨道的圆心重合。