[发明专利]一种基于元素标记激光诱导击穿光谱的细菌快速特异性定量分析方法

权利要求书

1.一种基于元素标记激光诱导击穿光谱的细菌快速特异性定量分析方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：使用金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线SiNWs，并将银包金核壳结构纳米粒子Au@AgNPs修饰到硅纳米线SiNWs上，制备得到捕获细菌用的基底SiNWs-Au@Ag；

步骤2：用包含适配体和聚T序列的DNA Apt-T₄₀ 组装铜纳米粒子，然后通过适配体与细菌之间的特异性识别作用将铜纳米粒子连接到细菌上，制备经元素标记的细菌；

步骤3：用步骤1得到的捕获细菌用的基底SiNWs-Au@Ag来富集步骤2得到的经元素标记的细菌；采用LIBS方法对富集后的细菌进行检测分析。

2.一种如权利要求1所述的基于元素标记激光诱导击穿光谱的细菌快速特异性定量分析方法，其特征在于：所述的步骤（1）中硅纳米线SiNWs的制备方法为：

将硅片进行清洗，然后浸泡在浓H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中，加热后保温一段时间，取出洗净后浸泡在HF溶液中使其表面生成Si-H键，取出吹干后与HF和硝酸银的混合液反应，取出后浸泡在HF与H₂O₂的混合液中避光刻蚀，然后浸泡在稀硝酸中溶解AgNPs，清洗后干燥。

3.一种如权利要求2所述的基于元素标记激光诱导击穿光谱的细菌快速特异性定量分析方法，其特征在于：所述的步骤（1）中基底SiNWs-Au@Ag的制备方法如下：

将制备得到的硅纳米线SiNWs放入浓H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中加热，使表面羟基化成为SiNWs-OH；然后将SiNWs-OH放入APTMS溶液中，使表面氨基化；最后放入Au@Ag胶体中浸泡，得到所述的基底SiNWs-Au@Ag。

4.一种如权利要求3所述的基于元素标记激光诱导击穿光谱的细菌快速特异性定量分析方法，其特征在于：所述的将硅纳米线SiNWs放入浓H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中加热的温度为90℃，加热时间为30min；所述的将SiNWs-OH放置在APTMS溶液中的时间为1小时，所述的APTMS溶液浓度为1%，由乙醇和乙酸以5:2的比例稀释而成；所述的将氨基化的硅片放入Au@Ag胶体中浸泡的时间为12个小时。

5.一种如权利要求2所述的基于元素标记激光诱导击穿光谱的细菌快速特异性定量分析方法，其特征在于：所述的清洗硅片的方式为将硅片先后在乙醇，丙酮和超纯水中进行超声清洗；所述将清洗后的硅片浸泡在浓H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中加热的温度为加热至90℃；所述的保温时间为加热至90℃后保持30分钟；所述的浸泡在HF溶液中使其表面生成Si-H键的时间为3分钟，所述的HF溶液浓度为5%；所述的与HF和硝酸银的混合液反应的时间为1分钟；所述的浸泡在HF与H₂O₂的混合液中避光刻蚀的时间为1小时。

6.一种如权利要求5所述的基于元素标记激光诱导击穿光谱的细菌快速特异性定量分析方法，其特征在于：所述的硅片在丙酮和水中超声清洗的时间为10min，超声频率为40KHz；所述浓H₂SO₄和H₂O₂混合溶液的比例为3:1，浓H₂SO₄的浓度为98%，H₂O₂的浓度为30%；所述的稀硝酸为30%稀硝酸；所述的硝酸银浓度为0.1M,体积为8μL。