[发明专利]用于射频(RF)应用的环氧树脂模制化合物上的减薄硅的方法

权利要求书

1.一种处理半导体基板的方法，所述方法包括：

从具有多个管芯的重构基板的背侧移除材料，以暴露所述多个管芯中的至少一个管芯；

蚀刻所述重构基板的所述背侧，以从暴露的所述至少一个管芯移除材料；以及

在所述重构基板的所述背侧和暴露的所述至少一个管芯上沉积第一材料层。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在蚀刻所述背侧之前在所述背侧上沉积第二材料层，其中所述第二材料层为图案化的掩模层，所述图案化的掩模层暴露所述至少一个管芯，同时覆盖所述多个管芯中的至少一个另外的管芯。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述多个管芯包括第一管芯以及第二管芯，其中所述第一管芯的厚度不同于所述第二管芯的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻步骤包括湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺。

5.如权利要求1所述的方法，其中从所述重构基板的所述背侧移除材料包括背研磨或平坦化。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层具有均匀的厚度。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中所述第一材料层包括钝化层或介电层。

8.如权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中所述第一层经由旋涂、喷涂或者化学气相沉积来沉积。

9.如权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中所述第一材料层为聚合物或环氧树脂层。

10.一种用于存储计算机指令的非暂态计算机可读介质，当由至少一个处理器执行所述计算机指令时，使所述至少一个处理器执行方法，所述方法包括以下步骤：

从具有多个管芯的重构基板的背侧移除材料，以暴露所述多个管芯中的至少一个管芯；

蚀刻所述重构基板的所述背侧，以从暴露的所述至少一个管芯移除材料；以及

在所述重构基板的所述背侧和暴露的所述至少一个管芯上沉积第一材料层。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一材料层为钝化层或介电层。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述第一材料层为聚合物或环氧树脂层。

13.如权利要求10至12中的任一项所述的方法，其中所述第一材料层具有基本上均匀的厚度。

14.如权利要求10至12中的任一项所述的方法，进一步包括：在蚀刻所述背侧之前在所述背侧上沉积第二材料层，其中所述第二材料层为图案化的掩模层，所述图案化的掩模层暴露所述至少一个管芯，同时覆盖所述多个管芯中的至少一个另外的管芯。

15.如权利要求10至12中的任一项所述的方法，其中蚀刻包括湿法蚀刻工艺或干法蚀刻工艺。