[发明专利]CEM组件和电子倍增设备

权利要求书

1.一种CEM组件，其特征在于，包括：

通道型电子倍增体，其具有：倍增通道，其包含获取带电粒子的输入端、放出二次电子的输出端和从所述输入端向所述输出端连续设置的二次电子放出层；以与所述二次电子放出层接触的状态设置在所述输入端的输入电极；和以与所述二次电子放出层接触的状态设置在所述输出端的输出电极；和

用于向所述输入电极与所述输出电极之间施加规定的电压的电压供给电路，

所述电压供给电路具有：

被设定为第一基准电位的第一端子；

与所述输入电极连接的第二端子；

与所述输出电极连接的第三端子；

被设定为第二基准电位的第四端子；

配置在所述第一端子与所述第二端子之间的电源部，其产生用于确保所述第一端子与经所述第二端子被设定为与所述输入电极同电位的输入侧基准节点之间的电位差的电动势；和

配置在所述第三端子与所述第四端子之间的、保持用于对所述输出电极的电位进行调整的目标电位的恒定电压发生部，其包含：位于所述第三端子与所述第四端子之间并且被设定为所述目标电位的输出侧基准节点；和产生用于确保所述第四端子与所述输出侧基准节点之间的电位差的电压下降的恒定电压供给部。

2.如权利要求1所述的CEM组件，其特征在于：

所述恒定电压发生部还包括：

配置在所述输入侧基准节点与所述输出侧基准节点之间的第一电阻；和

经所述第三端子消除所述输出电极与所述输出侧基准节点的电位差的电位固定元件。

3.如权利要求2所述的CEM组件，其特征在于：

所述恒定电压供给部包含配置在所述输出侧基准节点与所述第四端子之间的第二电阻。

4.如权利要求3所述的CEM组件，其特征在于：

所述第一电阻的电阻值高于所述第二电阻的电阻值。

5.如权利要求3或4所述的CEM组件，其特征在于：

所述第一电阻与所述第二电阻的电阻比落入100比1至2比1的范围内。

6.如权利要求2所述的CEM组件，其特征在于：

所述恒定电压供给部包含配置在所述输出侧基准节点与所述第四端子之间的齐纳二极管。

7.如权利要求2至6中任一项所述的CEM组件，其特征在于：

所述电位固定元件包含MOS晶体管、FET和双极晶体管中的任一者。

8.如权利要求1所述的CEM组件，其特征在于：

所述恒定电压供给部包含在所述输出侧基准节点与所述第四端子之间串联连接的1个或其以上的IC单元，所述IC单元各自具有：分路调节器IC；和在所述分路调节器IC的输入端与输出端之间以规定的电阻比串联连接的第三电阻和第四电阻。

9.如权利要求1至8中任一项所述的CEM组件，其特征在于：

所述倍增通道还包含：支承所述二次电子放出层的由绝缘材料构成的构造体；和设置在所述二次电子放出层与所述构造体之间的电阻膜。

10.如权利要求9所述的CEM组件，其特征在于：

所述绝缘材料由除铅玻璃之外的玻璃或陶瓷构成。

11.如权利要求1至10中任一项所述的CEM组件，其特征在于：

位于所述输入电极与所述输出电极之间的所述倍增通道的电阻值小于10MΩ。

12.一种电子倍增设备，其特征在于，包括：

权利要求1至11中任一项所述的CEM组件；和

阳极，其以面对构成所述CEM组件的一部分的所述通道型电子倍增体的所述输出端的方式配置。