[发明专利]缺陷检测系统及其缺陷检测方法在审
申请号: | 201910608060.4 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110243840A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 黄高;刘昌江;田茂;宋闯 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘艳;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标记物 缺陷检测系统 标记区域 待检测区域 缺陷检测 图案 遮盖物 开孔 缺陷检测模块 显微成像装置 表面排列 表面相对 表面形成 待检测物 缺陷标记 缺陷定位 显微成像 检测物 准确率 暴露 | ||
本发明提供一种缺陷检测系统及其缺陷检测方法,所述缺陷检测系统包括:缺陷检测模块,包括:显微成像装置,用于对待检测物的多个待检测区域进行显微成像,所述多个待检测区域在所述待检测物的表面排列形成第一图案;及缺陷标记模块,包括:待标记物,所述待标记物包括多个待标记区域,所述多个待标记区域在所述待标记物表面形成第二图案,所述第二图案与所述第一图案相同,所述多个待标记区域与所述多个待检测区域一一对应;及遮盖物,与所述待标记物的表面相对设置,所述遮盖物上设置有开孔,所述开孔暴露出所述待标记物的至少一个待标记区域。所述缺陷检测系统及其缺陷检测方法提高了缺陷定位的准确率。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种缺陷检测系统及其缺陷检测方法。
背景技术
半导体制造工艺中,需要使用检验工艺来检测晶圆(wafer)上的缺陷进而提高晶圆的合格率。根据检验主体的不同,检验工艺可以分为机器检验工艺和人工检验工艺。机器检验工艺主要依赖于机台的自动化流程完成晶圆表面缺陷的检验。而人工检验工艺,需要检测人员在借助于检验工具的同时进行晶圆外观的判定,并手动地作以缺陷标识。人工检验用于机器检验后的抽检程序,能够进一步提高晶圆的合格率,然而人工检验过程中,不可避免地会发生一些人为原因导致的缺陷定位的错误,例如检测人员对缺陷坐标的辨认错误或者手动标记时将缺陷位置标错等,均易导致缺陷检测和定位的误差。
因此,如何提高半导体器件的缺陷检测准确率、降低缺陷定位错误发生率是目前亟待解决的问题。
发明内容
为了提高晶片缺陷检测的准确率和检测效率,本发明实施例提供一种缺陷检测系统,包括:缺陷检测模块,包括:显微成像装置,所述显微成像装置用于对待检测物的多个待检测区域分别进行显微成像,所述多个待检测区域在所述待检测物的表面排列形成第一图案;以及缺陷标记模块,包括:待标记物,所述待标记物包括多个待标记区域,所述多个待标记区域在所述待标记物的表面排列形成第二图案,所述第二图案与所述第一图案相同,且所述多个待标记区域与所述多个待检测区域一一对应;以及遮盖物,所述遮盖物与所述待标记物的表面相对设置,所述遮盖物上设置有开孔,所述开孔暴露出所述待标记物的至少一个待标记区域。
可选地,所述显微成像装置包括物镜,所述物镜与所述待检测物的表面相对设置,所述待检测物的表面和所述待标记物的表面均沿水平方向延伸,所述物镜初始对准的待检测区域与所述遮盖物的开孔初始对准的待标记区域相对应;
所述物镜和所述待检测物能够沿所述水平方向发生第一相对运动,以改变所述物镜对准的待检测区域,所述遮盖物的开孔和所述待标记物能够沿所述水平方向发生第二相对运动,以改变所述遮盖物的开孔对准的待标记区域,且在所述第一相对运动和所述第二相对运动的过程中,所述物镜对准的待检测区域与所述遮盖物的开孔对准的待标记区域始终保持对应。
可选地,所述多个待标记区域与所述多个待检测区域一一对应包括:每个待标记区域和与其对应的一个待检测区域具有相同的形状和尺寸,且每个待标记区域在所述第二图案中的位置坐标和与其对应的一个待检测区域在所述第一图案中的位置坐标相同。
可选地,所述缺陷检测系统还包括:载物台,所述载物台用于承载所述待检测物和所述待标记物。
可选地,所述物镜和所述待检测物能够沿所述水平方向发生第一相对运动,所述遮盖物的开孔和所述待标记物能够沿所述水平方向发生第二相对运动包括:
所述物镜和所述遮盖物的开孔各自的空间位置保持不变,所述待检测物和所述待标记物能够沿所述水平方向同步移动。
可选地,所述物镜和所述待检测物能够沿所述水平方向发生第一相对运动,所述遮盖物的开孔和所述待标记物能够沿所述水平方向发生第二相对运动包括:
所述待检测物和所述待标记物各自的空间位置保持不变,所述物镜和所述遮盖物的开孔能够沿所述水平方向同步移动。
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