[发明专利]一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种铌酸锂平面波导上的光电探测器，其特征在于，自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极，所述硅薄膜为非晶硅薄膜，沉积方法为利用PECVD在铌酸锂薄膜表面沉积一层非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜在氢气或氦气环境中进行沉积，厚度为50nm～200nm；所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜；所述二氧化硅层的厚度为2±0.5μm，所述铌酸锂薄膜的厚度为0.5±0.1μm。

2.如权利要求1所述的铌酸锂平面波导上的光电探测器，其特征在于，所述叉指电极为Ni/Au叉指电极或Au叉指电极。

3.如权利要求1所述的铌酸锂平面波导上的光电探测器，其特征在于，所述二氧化硅层为非晶硅二氧化硅层。

4.一种基于权利要求1-3任一所述的铌酸锂平面波导上的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤如下：

制备铌酸锂平面波导本体，自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜；

利用PECVD在铌酸锂薄膜表面沉积一层非晶硅薄膜；

利用掩模方法通过电子束蒸发工艺在硅薄膜表面沉积Ni+Au叉指电极。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

利用化学机械抛光的方式将光电探测器的两端面分别进行抛光，通过端面耦合的方式进行测量，得到光电探测器的暗电流、响应时间等光学参量。

6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用离子注入和直接键合相结合制备铌酸锂平面波导本体。