[发明专利]一种熔丝单元及具有该熔丝单元的半导体器件和电子装置有效
| 申请号： | 201711058840.3 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109756209B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张传宝;王奇峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/00 | 分类号： | H03K5/00;G11C17/16;H01L23/525;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单元 具有 半导体器件 电子 装置 | ||
1.一种熔丝单元，其特征在于，包括：
熔丝元件，
开关元件，所述开关元件一端与所述熔丝元件连接，另一端接地；
恒压电路，所述恒压电路设置在所述熔丝元件和工作电压之间，为所述熔丝元件提供恒定电压；
所述恒压电路包括：
第一反相器，所述第一反相器包括第一PMOS器件和第一NMOS器件，所述第一PMOS器件和所述第一NMOS器件的栅极连接在一起，用作所述第一反相器的输入端，所述第一PMOS器件和所述第一NMOS器件的漏极连接在一起，用作所述第一反相器的输出端，所述第一PMOS器件的源极与恒压源连接，所述第一NMOS器件的源极接地；
第二反相器，所述第二反相器包括第二PMOS器件和第二NMOS器件，所述第二PMOS器件和所述第二NMOS器件的栅极连接在一起，用作所述第二反相器的输入端，所述第二PMOS器件和所述第二NMOS器件的漏极连接在一起，用作所述第二反相器的输出端，所述第二PMOS器件的源极与恒压源连接，所述第二NMOS器件的源极接地；
其中，所述第一反相器的输入端与所述工作电压连接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端与所述熔丝元件连接。
2.根据权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述恒压源提供1.8V的电压。
3.根据权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述熔丝元件包括多晶硅层和位于所述多晶硅层上的硅化物层。
4.根据权利要求1所述的熔丝单元，其特征在于，所述开关元件为NMOS器件。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有权利要求1-4中的任意一项所述的熔丝单元。
6.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的半导体器件以及与所述半导体器件连接的电子组件。
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