[发明专利]低杂散快速锁定的锁相环电路

权利要求书

1.一种低杂散快速锁定的锁相环电路，其特征在于，包括：差分缓冲器、Dummy采样器电路、亚采样环路与锁频环路；其中：

差分缓冲器将晶振的参考信号Ref_In变成差分的两路信号Ref+、Ref-，所述Ref+与Ref_In频率相同、相位相同，所述Ref-与Ref_In频率相同、相位相反；其中的Ref-信号输入至Dummy采样器电路，Ref+信号输入至亚采样环路；

所述Dummy采样器电路包括：第一脉冲发生器、第一亚采样鉴相器以及第一亚采样电荷泵；所述第一亚采样鉴相器与第一亚采样电荷泵相连，所述第一脉冲发生器与第一亚采样电荷泵相连；

所述亚采样环路包括：第二亚采样鉴相器、第二亚采样电荷泵、第二脉冲发生器、压控振荡器以及隔离Buff；所述第二亚采样鉴相器、第二亚采样电荷泵与压控振荡器依次相连，所述第二脉冲发生器与第二亚采样电荷泵相连，所述压控振荡器通过Buff与第二亚采样鉴相器相连；

所述锁频环路包括：依次连接的分频器、鉴频鉴相器、死区产生器与电荷泵；

所述压控振荡器还分别与所述第一亚采样鉴相器以及分频器相连，所述电荷泵还与第二亚采样电荷泵及压控振荡器连线上的一节点相连；

所述第二亚采样电荷泵包括：13个MOS管，其中6个NMOS管记为NM1～NM6，7个PMOS管记为PM1～PM7，以及一个电容C；连接关系如下：

PM3的栅端接偏置电压Vbias，漏端接PM1和PM2的源端，PM1和PM2的栅端分别接采样输出电压Vsam+、Vsam-，PM1、PM2的漏端分别接NM1、NM2的栅端和漏端，NM1、NM2的栅端分别连接NM3、NM4的栅端形成电流镜结构，PM4的栅端和漏端连接，再与PM7的栅端连接形成电流镜结构，PM4的漏端与NM3的漏端连接，NM5、NM6、PM5、PM6接脉冲发生器产生的脉冲信号Pul+、Pul-，PM5的漏端和NM5的漏端连接电容C，PM6和NM6的漏端连接并输出信号至环路滤波器中，NM1～NM4的源端接地GDN，PM3～PM4以及PM7的源端接电源VDD。

2.根据权利要求1所述的一种低杂散快速锁定的锁相环电路，其特征在于，所述亚采样环路还包括：由第一与第二电容，以及一个电阻组成的环路滤波器；

其中，第二亚采样电荷泵及压控振荡器连线还具有另外两个节点，其中一个节点依次连接电阻与第一电容，第一电容另一端接地；另一个节点还连有第二电容，第二电容另一端接地。