[发明专利]探针结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种探针结构，特别是涉及一种用于半导体与晶圆测试的探针结构。

背景技术

目前用于半导体硅片或IC测试的垂直探针卡所用的探针结构，如图1A及图1B所示。图1A的探针结构是经由立体微电机系统(3D Micro Electro Mechanical Systems,3D MEMS)加工形成，在信号传输时，由于需透过弹簧结构10传递，所述弹簧结构10，举例来说，是透过在一固定点11上利用螺丝来固定，如此会受限于弹簧的传输路径太长，导致传输高频(速)讯号时发生电感效应，另外，当载运高电流时，会因金属的材质因素及截面积太小，无法承载较大的电流，产生烧针的风险。图1B的探针结构包含弹簧结构10’与探针外壳12，有了探针外壳12使得外型尺寸更大，且不适用于微间距(小于100μm之间距)，弹簧结构10’与弹簧结构10雷同，其他特性跟问题与图1A中的探针结构相同。

因此，需要提出一种用于半导体硅片或IC的测试，适用于承载大电流，并能避免高频讯号传输时发生电感效应的探针结构，以提升传递高频(速)讯号以及高电流的能力。

发明内容

为解决上述习知技术的问题，本发明的一目的在于提供一种新颖的探针结构，用于半导体硅片或IC的测试，以提升传递高频(速)讯号以及高电流的能力。

依据本发明的一实施例提出了一种探针结构，包含：两探针头，分别用于与外部电性接触；一弹性缓冲部，形成一中空空间；一导电部，设置于所述中空空间中进而被包覆于所述弹性缓冲部之内且具有两端分别电性连接所述两探针头。当所述两探针头未与外部电性接触时，所述导电部是线性延伸于所述两探针头之间。

依据本发明的所述实施例，至少其中一所述探针头的一部分连接所述弹性缓冲部。

依据本发明的所述实施例，所述弹性缓冲部是以非线性延伸于所述两探针头之间。

依据本发明的所述实施例，所述弹性缓冲部是以螺旋状延伸于所述两探针头之间进而能在所述两探针头之间弹性伸缩。

依据本发明的所述实施例，当所述两探针头与外部电性接触时，所述导电部在所述两探针头之间形成弹性变形。

依据本发明的所述实施例，所述导电部是由一第一软性材料与一第二软性材料所制成，且所述第一软性材料由所述第二软性材料所包覆。

依据本发明的所述实施例，所述两探针头个别是导电的硬质金属。

依据本发明的所述实施例，所述两探针头是由微影与电镀的制程或机械加工所制成。

依据本发明的所述实施例，所述导电部是由微影与电镀，以及蚀刻制程所制成。

依据本发明的另一实施例提出了一种探针装置，所述探针装置的探针包含一探针结构，所述探针结构包含：两探针头，分别用于与外部电性接触；一弹性缓冲部，形成一中空空间；一导电部，设置于所述中空空间中进而被包覆于所述弹性缓冲部之内且具有两端分别电性连接所述两探针头。当所述两探针头未与外部电性接触时，所述导电部是线性延伸于所述两探针头之间。

本发明的探针结构不同于现有技术，不是直接以弹簧部分做为电流的传输路径，而是只将弹性缓冲部分用于缓冲，另外用导电部分来传输讯号，因此可提供较大载电流的截面积，用于大电流的测试，且不直接以弹簧做为电流的传输路径，能缩短传输路径，避免电感效应，适合用于高频(速)的测试。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1A是现有技术的一探针结构；

图1B是现有技术的另一探针结构；

图2A是依据本发明一实施例的一探针结构的正面示意图；

图2B是图2A的所述探针结构不含弹性缓冲部的正面示意图；

图2C是图2A的所述探针结构的侧面示意图；

图2D是图2B的所述探针结构的侧面示意图；以及

图3是依据本发明所述实施例的探针结构中的所述探针头的可用形状示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。