[发明专利]用于集成电路、作为集成电路的一部分的变压器和电感器的电感元件在审
申请号: | 201611136233.X | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106876111A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | J·库比克 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F27/28;H01F41/02;H01F41/04;H01L23/522 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 陈新 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 作为 一部分 变压器 电感器 电感 元件 | ||
1.一种用于集成电路中的电感组件,所述电感组件包括:
至少一个导体,其布置在螺旋路径中以形成第一线圈;
布置在所述至少一个导体的第一侧的至少一部分上或邻近所述导体的第一侧的第一磁性材料层,所述第一磁性材料层包括在至少一个磁芯;和
补偿结构,其被配置为补偿所述至少一个磁芯的磁芯饱和非均匀性。
2.根据权利要求1所述的电感性组件,其中,所述补偿结构包括所述第一线圈,并且所述第一线圈的匝密度作为跨过所述第一线圈的径向方向上的位置的函数而变化,以补充所述至少一个磁芯的磁芯饱和非均匀性。
3.根据权利要求2所述的电感组件,其中,所述螺旋路径包括中心导体,内边缘导体和外边缘导体,并且与中心导体相比,匝密度朝向内边缘导体和外边缘导体更大。
4.根据权利要求2所述的电感组件,其中,所述至少一个磁芯包括横跨所述第一线圈的径向宽度延伸的磁芯,并且所述匝密度随着距所述磁芯的边缘的距离的增加而减小。
5.根据权利要求2所述的电感组件,其中,所示匝密度取决于形成第一线圈的匝的所述至少一个导体的导体的宽度。
6.根据权利要求2所述的电感组件,其中,所述匝密度在所述第一线圈对应于所述第一磁性材料层的区域中变化。
7.根据权利要求1所述的电感组件,其中,所述至少一个磁芯还包括邻近所述至少一个导体的第二侧并且在与所述第一磁性材料层相对的位置布置的第二磁性材料层。
8.根据权利要求7所述的电感组件,其中,所述至少一个磁芯布置成形成第一线圈的所述至少一个导体穿过的通道。
9.根据权利要求1所述的电感组件,其中,所述第一线圈基本上是平面的,并且所述第一磁性材料层的平面基本上垂直于所述第一线圈的轴线。
10.根据权利要求1所述的电感组件,其中,所述电感组件是变压器。
11.根据权利要求10所述的电感组件,还包括布置在螺旋路径中以形成第二线圈的至少一个第二导体,所述第二线圈与所述至少一个磁芯磁耦合。
12.根据权利要求11所述的电感组件,其中,所述第一线圈和第二线圈是同轴的。
13.根据权利要求11所述的电感组件,其中,所述第一线圈和第二线圈形成在所述电感组件的同一层中。
14.根据权利要求11所述的电感组件,其中,所述第二线圈具有空间变化的匝密度。
15.根据权利要求1所述的电感组件,其中,所述磁芯卷绕在所述第一线圈的至少一部分。
16.一种形成电感组件的方法,所述方法包括:
形成布置在螺旋路径中的至少一个导体以形成第一线圈;和
围绕所述第一线圈的至少一部分形成磁芯;其中第一线圈被布置为补偿所述磁芯的芯饱和非均匀性。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述补偿结构被布置为使得与所述磁芯的中心部分处的匝密度相比,所述第一线圈具有比所述磁芯的边缘更低的匝密度。
18.一种集成电路包括:包括平面螺旋线圈的,其中,所述平面螺旋线圈的瞬时匝密度在所述平面螺旋线圈的宽度上从所述平面螺旋线圈的边缘到所述平面螺旋线圈的中心变化。
19.根据权利要求18所述的集成电路,还包括具有通道的磁芯,其中所述平面螺旋线圈延伸通过所述通道。
20.根据权利要求19所述的集成电路,还包括延伸通过所述通道的第二磁芯,其中所述电感组件是包括第一磁芯和第二磁芯的变压器。
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