[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置在审
| 申请号： | 201610362706.1 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107437544A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少形成有第一硅鳍结构和第二硅鳍结构；
在所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧形成硅锗层；
向所述第二硅鳍结构两侧的硅锗层注入锗以提高该硅锗层的锗浓度；
执行SiGe浓缩工艺以使所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构转变为第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构，
其中，所述第二硅锗鳍结构的锗浓度大于所述第一硅锗鳍结构的锗浓度。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧的硅锗层通过选择性外延法形成。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过氧化所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧的硅锗层来执行所述SiGe浓缩工艺。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤:
去除所述第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构两侧被氧化的硅锗层。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有第三硅鳍结构。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：
在所述第一硅鳍结构、第二硅鳍结构和第三硅鳍结构两侧形成间隙壁；
去除所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧的间隙壁。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述间隙壁为氮化物。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：在执行所述SiGe浓缩工艺后，去除所述第三硅鳍结构两侧的 间隙壁。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤:
在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶层，以至少遮挡所述第一硅鳍结构；
在向所述第二硅鳍结构两侧的硅锗层注入锗以提高该硅锗层的锗浓度后，去除所述图案化的光刻胶层。
10.根据权利要求1-9之一所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为绝缘体上硅。
11.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上至少形成有第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构，其中，所述第二硅锗鳍结构的锗浓度大于所述第一硅锗鳍结构的锗浓度。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为绝缘体上硅。
13.根据权利要求11或12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构通过1-9之一所述的制作方法形成。
14.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求11或12所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
