[发明专利]一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器

权利要求书

1.一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其由具有相互平行的前抛光表面和后抛光表面的片状KBBF族晶体、分别镀于所述片状KBBF族晶体前抛光表面和后抛光表面上的前增透膜及后增透膜、柱状晶体架以及套装于所述柱状晶体架外表面上的外加热套组成；其特征在于，所述柱状晶体架沿中心轴线方向设有贯穿所述柱状晶体架的通光孔；柱状晶体架内开有方形卡槽，所述方形卡槽与通光孔相通，方形卡槽大面的法线与柱状晶体架中心轴线成θ角；

所述片状KBBF族晶体置于所述柱状晶体架的方形卡槽内，所述片状KBBF族晶体的前、后表面的法线方向与所述方形卡槽大面法线方向一致；

基频激光沿着柱状晶体架中心轴线方向射入至所述KBBF族晶体前表面的前增透膜，在所述KBBF族晶体内部实现相位匹配后，并沿柱状晶体架的中心轴线方向由所述KBBF族晶体后表面的后增透膜出射倍频光；

所述KBBF族晶体为氟硼铍酸钾晶体或氟硼铍酸铷晶体；对于氟硼铍酸钾晶体，所述θ角为62.16°；对于氟硼铍酸铷晶体，所述θ角为73.02°；

所述前增透膜对532纳米激光高透；所述后增透膜同时对532纳米激光和266纳米激光高透。

2.按权利要求1所述的氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其特征在于，所述KBBF族晶体前抛光表面和后抛光表面均为KBBF族晶体的结晶学c面；表面粗糙度Ra小于0.5纳米，面型精度小于1/8光圈。

3.按权利要求1所述的氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其特征在于，所述柱状晶体架形状为圆柱体，方柱体或多棱柱体。

4.按权利要求1或3所述的氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其特征在于，所述柱状晶体架由水平方向将所述方形卡槽等分的上下两部分构成；或由垂向将所述方形卡槽等分的左右两部分构成。

5.按权利要求1或3所述的氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其特征在于，所述的柱状晶体架的材料为紫铜或铝。

6.按权利要求4所述的氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其特征在于，所述的柱状晶体架的材料为紫铜或铝。

7.按权利要求1所述的氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其特征在于，所述的外加热套上缠绕加热丝，加热丝与控温仪表相连以精确控温。