[发明专利]一种FTO导电薄膜的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310368897.9 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103435266A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杨希川 | 申请（专利权）人： | 大连七色光太阳能科技开发有限公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116021 辽宁省大连市高*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fto 导电 薄膜 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：将FTO导电薄膜沉积在基板上，按预制图样在FTO导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻层，将沉积有FTO导电薄膜的基板放置于酸性溶液中，并在靠近绝缘抗蚀刻层的一侧设置锌板，未覆盖绝缘抗蚀刻层的FTO导电薄膜被刻蚀去除。
2.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述锌板与基板平行、相对放置。
3.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述基板为硬质基板或柔性基板。
4.根据权利要求3所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述硬质基板为玻璃基板；所述柔性基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯板或聚对萘二甲酸乙二醇酯板。
5.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述绝缘抗蚀刻层采用热固化型绝缘抗蚀刻剂或光固化型绝缘抗蚀刻剂制备而成。
6.根据权利要求1所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述酸性电解液为盐酸、硫酸、硝酸和醋酸溶液中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述酸性电解液中酸的质量浓度为0.1% - 30%。
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