[发明专利]半导体器件、集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体主体，其包括第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面；

第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中，其中，第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料；以及

第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中，其中，第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第一导电材料经由第一接触沟槽的侧壁电耦合到第一导电类型的第一半导体区；并且第一导电材料经由第一接触沟槽的底侧面电耦合到第二导电类型的第二半导体区，第二导电类型与第一导电类型互补。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第二导电材料经由第二接触沟槽的侧壁电耦合到第一导电类型的第三半导体区；并且第二导电材料经由第二接触沟槽的底侧面电耦合到第二导电类型的第四半导体区，第二导电类型与第一导电类型互补。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

半导体器件是垂直半导体器件，所述垂直半导体器件包括第一侧面处的第一器件端子和第二侧面处的第二器件端子。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第二接触沟槽的宽度范围在0.1μm至10μm之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第二接触沟槽的深度范围在0.1μm至50μm之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第一导电材料和第二导电材料包括Ti、TiN、W、TiW、Ta、Cu、Al、AlSiCu和AlCu中的一种或组合。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第一接触沟槽和第二接触沟槽中的至少一个至少部分地用金属或金属合金填充，所述金属或金属合金被配置为在围绕第二接触沟槽的半导体主体中诱导压缩应变。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

半导体主体是硅半导体主体，并且第一导电材料和第二导电材料中的至少一个包括Cu、W与Cu的组合以及扩散阻挡层、W与Cu的组合中的一个。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第二接触沟槽的侧壁与垂直于第二侧面的方向之间的角度范围在0o至44o之间。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括多个第二接触沟槽，其中，多个第二接触沟槽以形状、布局和深度中的至少一个而不同。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

多个第二接触沟槽包括单元阵列中的第一数目的第二接触沟槽和围绕单元阵列的边缘区域中的第二数目的第二沟槽；并且其中，边缘区域中的第二数目的第二接触沟槽的面积百分比高于边缘区域中的第二数目的第二接触沟槽的面积百分比。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

第一侧面与第二侧面之间的半导体主体的厚度范围在5μm与50μm之间。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

导电材料覆盖第二侧面处的半导体主体的表面，并且至少部分地填充第二沟槽；并且其中，第二侧面处的导电材料的外表面是主要地平坦的，并且包括与第二接触沟槽一致的凹槽。

15.一种集成电路，其包括：

半导体主体，其包括第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面，其中，半导体主体包括经由深沟槽隔离来电绝缘的第一电路部分和第二电路部分；并且其中

半导体主体经由第二侧面附接到载体；并且

半导体主体包括沿着第二侧面处的表面的台阶。

16.根据权利要求15所述的集成电路，其中，

第一电路部分的至少70%的面积中的半导体主体的厚度大于第二电路部分的至少70%的面积中的半导体主体的厚度。

17.根据权利要求15所述的集成电路，其中

第一电路部分是功率场效应晶体管，而第二电路部分包括模拟电路元件和数字电路元件中的至少一个。