[发明专利]一种微米/纳米尺度导电材料的焊接方法有效

专利信息
申请号: 201310360044.0 申请日: 2013-08-16
公开(公告)号: CN103449359A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 单智伟;张朋诚;陈亮;代涛;汪承材 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B23K28/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 微米 纳米 尺度 导电 材料 焊接 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于小尺度材料焊接技术领域,具体涉及一种微米/纳米尺度导电材料的焊接方法。

背景技术

微米/纳米尺度材料的焊接,一直是微米/纳米尺度材料加工的一个热点,也是微米/纳米机械电子(MEMS/NEMS)器件自下而上(Bottom-up)组装过程中的重大难题。在微米/纳米机械电子(MEMS/NEMS)器件中,需要在材料间形成稳定的物理接触和电接触,而微米/纳米尺度材料的焊接技术可以满足以上条件。对于微米/纳米尺度材料的焊接需要满足速度快,精度高,接触牢固,材料损伤小,无污染,对材料要求低,成本低等要求。现有的应用于微米/纳米尺度材料焊接的技术都有自身的不足,难以达到以上所有要求,如离子束沉积,其沉积离子一般作为外来污染,并且对材料损伤较大,成本较高;冷焊接技术(Cold welding of ultrathin gold nanowires,Yang Lu,JianYu Huang等,NATURE NANOTECHNOLOGY,Nature Nanotechnology5,218-224(2010)),即利用分子扩散使材料实现焊接,但只对10nm以下的少数金属材料适用;自适应的等离子焊接(Self-limited plasmonic welding of silver nanowire junctions,Erik C.Garnett,Wenshan Cai等,Nature Materials11,241–249(2012)),采用卤素灯照射进行焊接,其焊接强度不高,并且只适用于少数材料;采用超声振动压焊(Ultrasonic nanowelding of carbon nanotubes to metal electrodes,Changxin Chen,Lijun Yan等,Nanotechnology17,2192–2197(2006))),对于材料的损伤较大,且不能精确控制;采用探针加热进行焊接,由于探针的熔点限制,只适用于少数材料。

发明内容

本发明为了克服以上技术问题提供一种微米/纳米尺度导电材料的焊接方法,能够实现微米/纳米导电材料的焊接,克服其他焊接方法中对焊接材料污染,损伤大,接触不牢,成本高等缺点。

本发明是通过以下技术方案来实现:

一种微米/纳米尺度导电材料的焊接方法,包括以下操作:

1)在显微观察下,分别将具有放电尖端的待焊接的导电材料夹持后,将焊接部位的放电尖端与放电尖端间距100~1000nm对准;

2)将待焊接的导电材料分别连通直流电源的正负极,然后将放电尖端与放电尖端逐渐靠近;直流电源的正负极之间还设有限流电阻;

3)在逐渐靠近时放电尖端之间发生放电,放电产生的热量熔化放电尖端,熔化后的放电尖端接触并融合,限流电阻被导通,焊接部位放电消失,待冷却之后,焊接完成。

所述的放电尖端的曲率半径为50nm~10μm,直流电源的电压为1~60V。

所述的放电尖端的曲率半径、直流电源的电压的选择为:

15V/μm<UR<25V/μm(R<0.5μm)U=D×2V/μm+11(0.5μm<D<10μm)]]>

其中,U为直流电源的电压,R为放电尖端的曲率半径。

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