[发明专利]反应腔无效
| 申请号： | 201310250511.4 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103320769A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 林翔;丁大鹏 | 申请（专利权）人： | 光垒光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/452;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 | ||
1.一种反应腔，用于III-V族材料外延沉积的MOCVD工艺，所述反应腔包括位于所述反应腔顶部的喷淋头和位于所述反应腔底部且正对所述喷淋头的基座；其特征在于，所述喷淋头上加载电势后作为正极，所述反应腔中低于所述喷淋头的位置还设置有一负极。
2.如权利要求1所述的反应腔，其特征在于，所述负极为设置于所述喷淋头和基座之间的电极环。
3.如权利要求2所述的反应腔，其特征在于，所述电极环的内径所围绕的区域的面积大于所述喷淋头的下表面的面积，使得由喷淋头提供的反应气体从电极环所围绕的区域中通过。
4.如权利要求2所述的反应腔，其特征在于，所述电极环到喷淋头的距离小于所述喷淋头到基座的距离的1/2。
5.如权利要求4所述的反应腔，其特征在于，所述电极环到喷淋头的距离小于所述喷淋头到基座的距离的1/3。
6.如权利要求4所述的反应腔，其特征在于，所述电极环到喷淋头的距离为所述喷淋头到基座的距离的1/3。
7.如权利要求2所述的反应腔，其特征在于，所述喷淋头的下表面和电极环之间形成电场，所述电场的电势差为0.5V～5V。
8.如权利要求7所述的反应腔，其特征在于，所述喷淋头和电极环之间施加稳定电势差。
9.如权利要求1所述的反应腔，其特征在于，所述基座加载电势后作为所述负极。
10.如权利要求9所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头的下表面和基座之间形成电场，所述电场的电势差为0.5V～5V。
11.如权利要求10所述的反应腔，其特征在于，所述喷淋头和基座之间施加稳定电势差。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
