[实用新型]一种单片机智能控制的逆变器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单片机智能控制的逆变器。                                

背景技术

目前逆变器的控制电路均比较繁杂，结构复杂，占用面积较大。

实用新型内容

针对上述的不足，本实用新型的目的是提供一种电路简单，结构简单的逆变器。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种单片机智能控制的逆变器，其包括控制电路、电流反馈电路和驱动电路，所述控制电路采用芯片EG8010构成的电路，所述电流反馈电路连接在芯片EG8010的IFB脚，所述驱动电路采用驱动芯片IR2110S，与芯片EG8010的SPWM脚连接。

所述电流反馈电路采用运算放大器LM393，运算放大器LM393的1脚连接驱动芯片IR2110S的SD脚，其1脚与3脚之间串联电阻R26，3脚接芯片EG8010的IFB脚，其2脚分两路，一路串联电阻R5接电源，一路串联电阻R6接地。

所述电阻R6两端并联电容C20，所述运算放大器LM393的1脚与驱动芯片IR2110S之间并联电阻R4接电源，并联电容C19接地。

所述控制电路设有频率选择电路。

所述控制电路设有软启动电路。

所述控制电路设有死区选择电路。

所述控制电路设有LED指示灯D1。

本实用新型的有益效果是，采用高集成化的芯片EG8010，实现逆变器控制电路的集成化，简单化，减小逆变器的体积。

附图说明

附图1是本实用新型的智能控制电路。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步说明：

参见图1和图2，本实用新型包括控制电路1、电流反馈电路3和驱动电路2，所述控制电路1采用芯片EG8010构成的电路，所述电流反馈电路3连接在芯片EG8010的IFB脚，所述驱动电路2采用驱动芯片IR2110S，与芯片EG8010的SPWM脚连接。

所述电流反馈电路3采用运算放大器LM393，运算放大器LM393的1脚连接驱动芯片IR2110S的SD脚，其1脚与3脚之间串联电阻R26，3脚接芯片EG8010的IFB脚，其2脚分两路，一路串联电阻R5接电源，一路串联电阻R6接地，所述电阻R6两端并联电容C20，所述运算放大器LM393的1脚与驱动芯片IR2110S之间并联电阻R4接电源，并联电容C19接地。芯片EG8010的电流反馈IFB脚外接电流反馈电路3实现过流保护检测。

所述控制电路1设有频率选择电路5,所述频率选择电路5为芯片EG8010的FRQSEL0脚和FRQSEL1脚为频率选择脚，所述FEQSEL1脚设定为低电平“0”，通过FRQSEL0脚设定为高电平“1”实现频率为60Hz，将FRQSEL0脚设定为低电平“0”实现频率为50Hz，从而实现频率的选择。

所述控制电路1设有软启动电路6，所述软启动电路6为芯片EG8010的SST脚为软启动功能选择脚，所述SST脚设定为低电平“0”，使控制电路1不支持软启动，将SST脚设定为高电平“1”，使控制电路1支持软启动，且软启动时间为3S。

所述控制电路1设有死区选择电路4，所述死区选择电路4为芯片EG8010的DT1脚和DT0脚，死区时间控制是功率MOS管的重要参数之一，如果没有死区时间或太小会导致上下功率MOS管同时导通而烧毁MOS管现象，如果死区时间太大会导致波形失真及功率管发热严重现象，死区选择电路4通过对DT1脚和DT0脚接高电平或低电平，实现不同的死区时间设置，DT1脚通低电平“0”，DTO脚通低电平“0”实现300nS死区时间，DT1脚通低电平“0”，DTO脚通高电平“1”实现500nS死区时间，DT1脚通高电平“1”，DTO脚通低电平“0”实现1uS死区时间，DT1脚通高电平“1”，DTO脚通高电平“1”实现1.5uS死区时间。

所述控制电路1设有LED指示灯D1，芯片EG8010的LEDOUT脚外接LED指示灯D1作为报警脚，当出现故障时，该脚输出低电平“0”使LED指示灯D1实现报警。

实施例不应视为对本实用新型的限制，但任何基于本实用新型的精神所作的改进，都应在本实用新型的保护范围之内。