[实用新型]导流筒和单晶炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及单晶生长制造领域，更具体地，涉及一种导流筒和单晶炉。

背景技术

随着单晶炉技术的发展，直拉法单晶生长技术已经由原来的无导流筒技术发展到目前的导流筒技术，为了降低直拉法单晶生长的成本，最有效的办法就是提高晶体生长技术和降低热场消耗。

现有技术中的导流筒，筒壁由石墨结构或钼材料构成。但是，石墨材质具有良好的导热性，热场传递到筒壁部分后就会散失出去。石墨结构的筒壁会导致热量的散失，从而不能有效地降低单晶炉工作过程中的热量损失，不能有效地提高单晶棒的生长速度。另外，钼材料本身属于反射性材质，不具有保温特性，对于增大热场纵向温度梯度方面效果较好，但是在降低能耗方面的效果不理想。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种导流筒和单晶炉，以解决现有技术的导流筒不能有效保温的问题。

为解决上述技术问题，根据本实用新型的一个方面，提供了一种导流筒，包括：内筒，内筒包括真空腔；外筒，外筒与内筒连接。

进一步地，内筒包括内筒内壁和内筒外壁，真空腔形成于内筒内壁与内筒外壁之间。

进一步地，内筒由石英制成。

进一步地，内筒与外筒之间形成腔体。

进一步地，导流筒还包括保温毡，保温毡设置于腔体中。

进一步地，保温毡填充满腔体。

进一步地，腔体的上端部的厚度小于腔体的下端部的厚度。

进一步地，内筒的上端部的直径大于内筒的下端部的直径。

根据本实用新型的另一个方面，还提供了一单晶炉，包括导流筒，该导流筒是上述的导流筒。

由于导流筒内壁设置了真空腔，所以导流筒在工作过程中，能有效的隔绝热量透过导流筒辐射到晶体表面，从而减少了热场的热量损失。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示意性示出了本实用新型中的导流筒的结构；以及

图2示意性示出了导流筒的筒壁结构。

图中附图标记：1、内筒；11、内筒内壁；12、内筒外壁；13、真空腔；2、外筒；3、腔体；4、保温毡。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

作为本实用新型的第一方面，提供了一种导流筒，如图1和图2所示，该导流筒包括内筒1，内筒1包括真空腔13，真空腔13用于隔热；外筒2，外筒2与内筒1连接。

由于导流筒内筒1设置了真空腔13，所以导流筒在工作过程中，能有效的隔绝热量透过导流筒辐射到晶体表面，从而减少了热场的热量损失，起到了隔热保温的作用。

优选地，内筒1包括内筒内壁11和内筒外壁12，真空腔13形成于内筒内壁11与内筒外壁12之间。如图2所示，该内筒可保证真空腔的隔绝热量的效果。优选地，内筒1由石英制成。石英材料保温性好，还具有热反射性质，内筒由石英制成，不仅能起到隔绝热量的效果，还能反射热辐射，从而不仅能降低热场的消耗，还增大了导流筒内晶体的纵向温度梯度，进而加快了单晶棒的生产速率。当然，导流筒内筒1的材料不一定为石英，其他保温性好或具有热反射性质的材料均可以作为内筒1的材料。

优选地，内筒1的上端部的直径大于内筒1的下端部的直径。在单晶生长制造过程中，会从导流筒的上端部向下鼓风，内筒1采用上大下小的结构，可以使气体更好地到达位于导流筒底部的液面与单晶棒接触的位置，从而提高单晶棒的生长速率。

优选地，内筒1与外筒2之间形成腔体3。优选地，该腔体3中还设置有保温毡4。保温毡4可以进一步的实现隔热保温，提高了单晶棒的生产效率。优选地，保温毡4填充满腔体3。

优选地，腔体3的上端部的厚度小于腔体3的下端部的厚度。如果腔体3的上下两端厚度相等，则外筒2的上端口处的直径较大，这样会占用较多的空间，不利于生产线的布局。本实用新型使腔体3的上端部的厚度小于腔体3的下端部的厚度，从而减小了外筒2的外部尺寸，减少了占用的空间，有利于生产线的布局，提高单晶生产线的产量。

作为本实用新型的第二方面，提供了一种单晶炉，包括导流筒，该导流筒是上述各实施例中的导流筒。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。