[发明专利]互连线结构及互连线结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210556457.1 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103050439B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种互连线结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件；
在所述半导体衬底上形成导电层，所述导电层用于形成金属互连线结构；
在所述导电层上形成掩模层；
在形成掩模层后，在导电层和导电层上方的掩膜层中形成沟槽，所述沟槽的深宽比范围大于0.8；
在形成所述沟槽后，沉积金属间介质层，所述金属间介质层覆盖导电层上方的所述掩模层并填充沟槽，在所述沟槽内的金属间介质层中具有空气隙。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述导电层之前，在所述半导体衬底上形成层间介质层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述层间介质层和金属间介质层的材料包括低K介质材料或超低K介质材料。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述金属间介质层的材料为氧化硅。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括硬掩膜层。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料包括铝或钨。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成沟槽的方法包括使用光刻、刻蚀工艺。
9.一种互连线结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件；
位于半导体衬底上的金属互连线；
位于金属互连线上的掩模层；
相邻的金属互连线和金属互连线上方的掩膜层之间为沟槽，所述沟槽的深宽比范围大于0.8；
金属间介质层，覆盖掩模层并填充沟槽，在沟槽内的金属间介质层中具有空气隙。
10.如权利要求9所述的互连线结构，其特征在于，在所述半导体衬底和金属互连线之间形成有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体衬底。
11.如权利要求10所述的互连线结构，其特征在于，所述层间介质层和金属间介质层的材料包括低K介质材料或超低K介质材料。
12.如权利要求9所述的互连线结构，其特征在于，所述金属间介质层的材料为氧化硅。
13.如权利要求10所述的互连线结构，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。
14.如权利要求9所述的互连线结构，其特征在于，所述掩模层包括硬掩模层。
15.如权利要求9所述的互连线结构，其特征在于，所述金属互连线的材料包括铝或钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
