[发明专利]可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器

权利要求书

1.一种可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，包括有多级移位寄存器单元，每级移位寄存器单元包括第一开关薄膜晶体管TFT、第二开关TFT、第三开关TFT、上拉TFT和下拉TFT；其中，第2n-1级移位寄存器单元的第一开关TFT的栅极和第二开关TFT的栅极分别接收反向时钟脉冲信号XCK，第2n-1级移位寄存器单元的下拉TFT的源极接收时钟脉冲信号CK；第2n级移位寄存器单元的第一开关TFT的栅极和第二开关TFT的栅极分别接收时钟脉冲信号CK，第2n级移位寄存器单元的下拉TFT的源极接收反向时钟脉冲信号XCK；第2n-1级移位寄存器单元的输出端与第2n级移位寄存器单元的输入端之间连接有正向扫描开关TFT，第2n-1级移位寄存器单元的输入端与第2n级移位寄存器单元的输出端之间连接有反向扫描开关TFT；所述n为自然数。

2.根据权利要求1所述的可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，所述正向扫描开关TFT的源极连接第2n-1级移位寄存器单元的输出端，漏极连接第2n级移位寄存器单元的输入端，栅极接收正向扫描控制信号；所述反向扫描开关TFT的源极连接第2n级移位寄存器单元的输出端，漏极连接第2n-1级移位寄存器单元的输入端，栅极接收反向扫描控制信号。

3.根据权利要求1所述的可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，每级移位寄存器单元中的第一开关TFT的源极连接本移位寄存器单元的输入端，漏极连接所述下拉TFT的栅极；第二开关TFT的源极连接低电位VGL，漏极连接上拉TFT的栅极；第三开关TFT的栅极连接本移位寄存器单元的输出端，源极连接高电位VGH，漏极连接上拉TFT的栅极；上拉TFT的源极连接VGH，漏极连接本移位寄存器单元的输出端；下拉TFT的漏极连接本移位寄存器单元的输出端。

4.根据权利要求1所述的可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，还包括有修补线，所述修补线连接至移位寄存器单元的输出端。

5.根据权利要求4所述的可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，所述修补线有多条，每条修补线分别连接至一级移位寄存器单元的输出端。

6.根据权利要求4或5所述的可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，所述修补线包括第一修补线与第二修补线；所述第一修补线接收外部信号；所述第二修补线一端与所述第一修补线虚接，另一端连接至移位寄存器单元的输出端。

7.根据权利要求6所述的可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，多条所述第二修补线与同一第一修补线虚接。

8.根据权利要求6所述的可实现双向驱动的栅极扫描移位寄存器，其特征在于，所述第一修补线和第二修补线分别由金属层构成，两层金属层之间设有绝缘层。