[发明专利]应用于外延工艺的光刻标记及方法

权利要求书

1.一种应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，光刻标记被放置在介质层中，且任何一个外边界或外界面均被外延难以生长的介质层所包围。

2.如权利要求1所述的应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，外延生长时很难在介质层上生长，生长速率与衬底层上的生长速率相比较小。

3.如权利要求1或2所述的应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，介质层可以氧化物或者氮化物。

4.如权利要求3所述的应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，外延成长后，介质层与非介质层上外延生长厚度差≥200埃。

5.如权利要求4所述的应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，整个光刻标记均被介质层区域包围。

6.一种产生应用于外延工艺的光刻标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、刻蚀硅基板形成一个面积较大的沟槽；

步骤2、沉积或通过热氧化在沟槽中填充介质层，形成光刻标记的基底；

步骤3、在基底区域内刻蚀介质层形成光刻标记，光刻标记被放置在介质层中，且任何一个外边界或外界面均被外延难以生长的介质层所包围。

7.如权利要求6所述的应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，步骤3中的介质层刻蚀深度≥500埃。

8.如权利要求7所述的应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，步骤3中的介质层刻蚀深度≥200埃，且小于后续外延生长厚度的1/2×选择比，选择比为介质层与非介质层区域外延生长厚度的比率。

9.如权利要求8所述的应用于外延工艺的光刻标记，其特征在于，光刻标记禁止区域≥外延生长时从硅区域向介质区域延伸长度的2倍以上。