[发明专利]层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及对层积有由氮化物形成的钝化膜的基板照射激光光束来施以烧蚀加工的层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法。

背景技术

对于表面形成有通过预定分割线(分割予定ライン)分开的IC、LSI、LED等多种器件的硅晶片、蓝宝石晶片等晶片，利用切削装置或激光加工装置等加工装置将其分割成单个的器件，所分割出的器件广泛用于移动电话、个人电脑等各种电子设备中。

在晶片的分割中，广泛采用的的切割方法是使用被称为切割锯的切削装置的切割方法。在该切割方法中，使利厚度为30μm左右的切削刀以30000rpm左右的高速旋转向晶片切入来对晶片进行切削，将晶片分割成单个的器件，其中，所述切削刀是用金属或树脂固定了金刚石等磨料粒而成的。

另一方面，近年来，有提案提出了对于晶片照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光束来进行烧蚀加工从而形成激光加工槽，利用制动装置沿着该激光加工槽切断晶片来分割成单个器件的方法(日本特开平10-305420号公报)。

在基于烧蚀加工的激光加工槽的形成中，与基于切割锯的切割方法相比，可使加工速度迅速，同时即使对由蓝宝石或SiC等硬度高的材料形成的晶片也可以比较容易地进行加工。

另外，由于可以将加工槽制成例如10μm以下等的较窄的宽度，与利用切割方法进行加工的情况相比较，具有可增加每一枚晶片中的器件获取量这样的特征。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本特开2007-118011号公报

发明内容

【发明所要解决的课题】

但是，若对晶片等半导体基板照射具有吸收性的波长(例如355nm)的脉冲激光光束，则所吸收的激光光束的能量达到带隙能量，使原子的结合力被破坏而进行烧蚀加工，尽管如此，若在半导体基板的上面层积由Si₃N₄等氮化物形成的钝化膜，则会产生激光光束能量的扩散和激光光束的反射，具有无法将激光光束的能量充分用于烧蚀加工、能量损失大的问题。

并且会产生透过了钝化膜的激光光束对半导体基板施以烧蚀加工，使钝化膜自内部发生破坏这样的问题。

本发明是鉴于这样的方面而进行的，其目的在于提供可抑制能量的扩散和激光光束的反射的层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法。

【解决课题的手段】

根据本发明，提供了一种层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法，其为对层积有由氮化物形成的钝化膜的基板照射激光光束来施以烧蚀加工的层积有钝化膜的基板的烧蚀加工方法，该方法的特征在于，其具备保护膜形成工序与激光加工工序，在保护膜形成工序中，将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布至基板的至少要进行烧蚀加工的区域，来形成掺入有该微粉末的保护膜；在激光加工工序中，在实施了该保护膜形成工序之后，对基板的形成了该保护膜的区域照射激光光束来施以烧蚀加工。

优选氧化物的微粉末的平均粒径小于激光光束的光斑径。优选激光光束的波长为355nm以下，氧化物的微粉末含有选自由Fe₂O₃、ZnO、TiO₂、CeO₂、CuO、Cu₂O和MgO组成的组中的金属氧化物，液态树脂含有聚乙烯醇。

【发明的效果】

由于本发明的层积有氮化物的钝化膜的基板的烧蚀加工方法中将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的氧化物微粉末的液态树脂涂布至基板的至少要进行烧蚀加工的区域来形成保护膜，因而激光光束被氧化物微粉末所吸收并达到带隙能量，原子的结合力被破坏，从而对钝化膜施以连锁性烧蚀加工，可抑制能量的扩散和激光光束的反射，有效且顺利地进行层积有钝化膜的基板的烧蚀加工。

附图说明

图1为适于本发明的烧蚀加工方法的激光加工装置的立体图。

图2为激光光束照射单元的框图。

图3为藉由胶带而被环状框架所支持的半导体晶片的立体图。

图4为层积有由氮化物形成的钝化膜的半导体晶片的截面图。

图5为示出液态树脂涂布工序的立体图。

图6为示出各种金属氧化物的分光透过率的曲线图。

图7为示出烧蚀加工工序的立体图。

图8为烧蚀加工终止状态下的经胶带而由环状框架所支持的半导体晶片的立体图。

具体实施方式