[发明专利]一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法

说明书

技术领域

    本发明涉及电子元器件领域，特别涉及一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法。

背景技术

    电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单、透光率高，是当前显示触控技术发展的主流方向。电容触摸屏的触摸感应部件一般为多个行电极、列电极相互交错形成的感应矩阵，行电极和列电极设置在一片透明基板的同一面上。典型的金属电极的制作方法包括：第一步：镀金属膜；第二步：涂布光刻胶；第三步：曝光；第四步：显影、硬化；第五步：蚀刻金属；第六步：去除光刻胶；第七部：手工点（蚀刻）残留金属点，形成设计图形的单层的金属电极。由于金属电极制作过程中较易产生金属残留现象，从而导致使用人工较多，且效率低，是生产过程的瓶颈部分。针对上述问题进行检索，尚未发现有效的解决方案。

发明内容

本发明的目的就是针对现有的单层金属电极存在的表面较容易产生金属点从而导致使用人工较多，且效率低，生产过程的瓶颈部分，提供一种一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

    （1）、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~350℃，ITO薄膜层的厚度5nm~25nm；

    （2）、在ITO薄膜层上涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1000~2000nm，均匀性10%以内，预烘温度：60~100℃；

    （3）、对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸：20微米~200微米；

（4）、对光刻胶进行显影并硬化，显影采用有机碱，浓度1~4%，或者NaOH，浓度0.1~0.8%，温度：20~40℃，时间20秒~300秒，硬化温度：80~120℃，时间20~50分钟；

（5）、蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料：HCL10%~20%+HNO3 2%~10%，温度：40~60℃，时间：120~600秒；

（6）、去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料：有机溶液，有机溶液为：二甘醇丁醚80~90%+已醇胺10%~20%，时间5分钟内，最后用纯水漂洗；

（7）、在ITO薄膜层电极图形层上镀金属层，真空度0.01~0.5Pa，温度：40~250℃；

（8）、在金属层上涂布二次光刻胶，二次光刻胶的厚度500~2000nm，均匀性10%以内，预烘温度：60~100℃；

（9）、对二次光刻胶进行曝光，即在二次光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米~200微米；

（10）、对一次曝光过后的电极图形上进行二次曝光（图形要求把需要金属线路部分的光刻胶遮盖，其余部分透光），曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米~200微米；

（11）、对二次光刻胶进行显影并硬化，形成电极图形，显影采用有机碱，浓度1~4%，或者NaOH，浓度0.1~0.8%，温度：20~40℃，时间20秒~300秒，硬化温度：80~120℃，时间20~50分钟；

（12）、蚀刻金属层，使金属层形成金属电极图形，用弱酸蚀刻金属层，蚀刻时间控制在10分钟内，在十分钟内，弱酸不会蚀刻ITO薄膜层，弱酸组成：磷酸50%~80%+醋酸5%~15%；

（13）、去除二次光刻胶，形成金属电极，使用材料：有机溶液，有机溶液为：二甘醇丁醚80%~90%+已醇胺10%~20%，时间：5分钟内，再用纯水漂洗。

本发明的优点在于：

通过本发明的方法使得在制作的金属层图形的可视区域内不出现金属残留的现象，提高生产效率，降低人工成本，打通流程上的瓶颈问题。

附图说明：

图1是本发明的镀ITO薄膜层的示意图。

图2是本发明的ITO薄膜层上涂布光刻胶的示意图。

图3是本发明对光刻胶曝光的示意图。

图4是本发明对光刻胶显影并硬化的示意图。

图5是本发明蚀刻ITO层的示意图。