[发明专利]多鳍片器件及其制造方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底；

多个鳍片，形成于所述衬底上；

源极区和漏极区，形成于相应的所述鳍片中；

介电层，形成于所述衬底上，所述介电层具有邻近第一鳍片的一侧的第一厚度，并且具有邻近所述鳍片的相对侧的第二厚度，所述第二厚度不同于所述第一厚度；以及

连续栅极结构，位于所述多个鳍片的上面，所述连续栅极结构邻近每个鳍片的顶面以及至少一个鳍片的至少一个侧壁面。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述器件是FinFET器件。

3.根据权利要求1所述的器件，包括：

第一鳍片，具有被所述介电层覆盖的第一侧壁和在所述介电层上方延伸的第二侧壁；

第二鳍片，具有均在所述介电层上方延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及

其中所述栅极结构共形地位于所述第一鳍片的所述第二侧壁和所述第二鳍片的所述第一侧壁和第二侧壁的上面。

4.一种晶体管，包括：

第一半导体鳍片，位于介电层中，所述第一半导体鳍片具有在所述介电层上方延伸第一距离的第一侧壁、顶面、和在所述介电层上方延伸第二距离的第二侧壁；

第二半导体鳍片，位于所述介电层中，第二鳍片具有在所述介电层上方延伸所述第一距离的第一侧壁、顶面、和在所述介电层上方延伸所述第一距离的第二侧壁；

栅极结构，位于所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片的上面，其中所述栅极结构接触所述第一半导体鳍片的所述顶面和至少一个侧壁，以及接触所述第二半导体鳍片的所述顶面和至少一个侧壁；

源极区，分布在所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片中；以及

漏极区，分布在所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片中。

5.根据权利要求4所述的晶体管，进一步包括第三半导体鳍片，所述第三半导体鳍片位于所述介电层中，所述第三半导体鳍片具有在所述介电层上方延伸所述第一距离的第一侧壁、顶面、和在所述介电层上方延伸所述第一距离的第二侧壁。

6.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述晶体管包括位于第一鳍片和第二鳍片中的沟道区，并且其中，所述沟道区具有沟道宽度，所述沟道宽度等于两个顶面厚度的和加上所述第一半导体鳍片的所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述介电层上方延伸的距离的和加上所述第二半导体鳍片的所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述介电层上方延伸的距离的和。

7.一种形成晶体管的方法，包括：

在衬底上形成多个鳍片；

在所述多个鳍片中形成源极区和漏极区；

在所述鳍片之间形成介电层；

调整所述多个鳍片中的至少两个鳍片之间的所述介电层的厚度；以及

在所述鳍片和介电层上形成连续栅极结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在衬底上形成多个鳍片的步骤包括选自基本上由蚀刻鳍片至衬底中、以及在衬底上外延生长鳍片、及其组合的组的工艺。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，调整所述介电层的厚度的步骤包括：

覆盖所述介电层的一部分；以及

回蚀所述介电层的未被覆盖的部分。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，形成源极区和漏极区包括将掺杂剂注入至相应的所述鳍片中。