[发明专利]陶瓷覆铜基板及其制造方法

权利要求书

1.陶瓷覆铜基板，其特征在于，包括：

陶瓷基板；

第一铜片，所述第一铜片设置在所述陶瓷基板的一侧；

第二铜片，所述第二铜片设置在所述陶瓷基板的另一侧；

第三铜片，所述第三铜片设置在所述陶瓷基板的一侧，所述第三铜片与所述第二铜片同侧，所述第三铜片设置在所述第二铜片的外侧；

第四铜片，所述第四铜片设置在所述陶瓷基板的一侧，所述第四铜片与所述第一铜片同侧，所述第四铜片设置在所述第一铜片的外侧。

2.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述第一铜片、所述第二铜片、所述第三铜片及所述第四铜片的表面包裹氧化亚铜。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述第一铜片、所述第二铜片、所述第三铜片及所述第四铜片的厚度为0.3mm。

4.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜基板，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度为0.38mm。

5.陶瓷覆铜基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，用清洗液对陶瓷基板及铜片进行清洗；

第二步，对铜片进行氧化；

第三步，将第一铜片、第二铜片、第三铜片及第四铜片依次烧结到陶瓷基板上。

6.根据权利要求5所述的陶瓷覆铜基板制造方法，其特征在于，所述清洗液为酸碱溶液或去离子水。

7.根据权利要求5所述的陶瓷覆铜基板制造方法，其特征在于，所述第一铜片及所述第二铜片采用加热氧化法，氧化温度为500℃～1000℃，氧化时间为15min～30min，氧化气氛为氮气保护下的氧化气氛，其中氧含量为50ppm～300ppm。

8.根据权利要求5所述的陶瓷覆铜基板制造方法，其特征在于，所述第三铜片及所述第四铜片采用加热氧化法，氧化温度为500℃～1000℃，氧化时间为5min～30min，氧化气氛为氮气保护下的氧化气氛，其中氧含量为50ppm～300ppm。

9.根据权利要求5所述的陶瓷覆铜基板制造方法，其特征在于，所述第一铜片的烧结温度为1065℃～1080℃，烧结时间为15min～35min，气氛为氮气保护的氧化气氛，其中氧含量为5ppm～50ppm。

10.根据权利要求5所述的陶瓷覆铜基板制造方法，其特征在于，所述第二铜片的烧结温度为1065℃～1075℃，烧结时间为15min～35min，气氛为氮气保护的氧化气氛，其中氧含量为5ppm～50ppm。

11.根据权利要求5所述的陶瓷覆铜基板制造方法，其特征在于，所述第三铜片及所述第四铜片的烧结温度为1065℃～1080℃，烧结时间为15min～35min，气氛为氮气保护的氧化气氛，其中氧含量为5ppm～10ppm。