[发明专利]一种抗总剂量屏蔽装置无效
| 申请号： | 201110362416.4 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102490913A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李强;韦锡峰;信太林;沈嵘康 | 申请（专利权）人： | 上海卫星工程研究所 |
| 主分类号： | B64G1/54 | 分类号： | B64G1/54 |
| 代理公司： | 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 | 代理人： | 容敦璋 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 屏蔽 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗总剂量屏蔽装置，其特征在于，包括用于慢化和屏蔽初级电子的第一低Z层，用于散射电子并吸收二次韧致辐射光子的高Z层，以及用于吸收高Z材料中产生的光电子和背散射电子并抑制X射线与材料作用产生的二次光电子发射和电子背散射的第二低Z层，其中，
所述第一低Z层为最外层，该层靠近卫星外的太空，所述第二低Z层为最内层，该层靠近受屏蔽的元器件；
所述第一低Z层与第二低Z层采用原子序数小于等于30的元素所形成的材料实现，所述第一低Z层的厚度在1-3毫米之间，所述第二低Z层的厚度在0.2-0.4毫米之间；
所述高Z层采用原子序数大于或等于50的元素所形成的材料实现，所述高Z层的厚度在0.1-0.3毫米之间。
2.根据权利要求1所述的抗总剂量屏蔽装置，其特征在于，所述第一低Z层与第二低Z层采用氢、锂、碳、硼、氮、铝、硅、铜、镍、钛、铬、钴和铁中的一种，或者它们之间的化合物实现。
3.根据权利要求1所述的抗总剂量屏蔽装置，其特征在于，所述高Z层采用钨、钽、钡、锇、铱、铂和金中的一种实现。
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