[发明专利]通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构有效
| 申请号： | 99803400.2 | 申请日： | 1999-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1143363C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | R·F·戴维斯;O·－H·纳姆;T·泽勒瓦;M·D·布雷姆赛尔 | 申请（专利权）人： | 北卡罗莱纳州立大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永;张志醒 |
| 地址： | 美国北卡罗*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氮化镓半导体层是这样制作的：用带有第一开孔阵列的第一掩模(106)掩蔽下氮化镓层(104)，通过第一开孔阵列在下氮化镓层上进行生长而形成第一蔓生氮化镓半导体层(108a，b)。然后用带有第二开孔阵列的第二掩模(206)掩蔽第一蔓生层。第二开孔阵列在横向上是与第一开孔阵列错开的。通过第二开孔阵列从第一蔓生氮化镓层(108a，b)上进行生长并扩展到第二掩模(206)上，从而形成第二蔓生氮化镓半导体层(208a，b)。微电子器件(210)则形成在第二蔓生氮化镓半导体层(208a，b)中。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 横向 蔓生 制作 氮化 半导体 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制作氮化镓半导体层的方法，包括对下氮化镓层(104)进行横向生长从而形成第一横向氮化镓半导体层(108)的步骤，特征在于它还包括：在下氮化镓层(104)上的第一横向生长氮化镓层(108)上进行横向生长，从而形成第二横向生长氮化镓半导体层(208)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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