[发明专利]受控切分处理有效
| 申请号： | 98804976.7 | 申请日： | 1998-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1146973C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 弗兰乔斯·J·亨利;内森·W·陈 | 申请（专利权）人： | 硅源公司 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 从原料基片(10)的形成材料的薄膜的技术。此技术以所选择方式引导高能粒子通过基片(10)的表面到达表面下一选择深度(20)，这里粒子具有一定浓度以确定在所选深度以上的原料基片材料(12)和此所选深度的晶格的粒子。一能源例如压缩流体被定向到原料基片的被选择区域来在此所选深度(20)启动对基片(10)的切分动作，于是切分动作形成扩张切分阵面来由原料基片的剩余部分释放原料材料。 | ||
| 搜索关键词： | 受控 切分 处理 | ||
【主权项】：
1、一种用于由基片形成材料膜的处理方法，所述处理包括步骤：将粒子通过基片的表面导引到所述表面下一选定深度，在所述选定深度所述粒子具有一定浓度以便确定在所选深度之上要被分离的基片材料；和提供能量到所述基片的一选定区域以在所述基片中所述选定深度启动受控切分操作，据此使所述切分操作能利用传播切分波阵面来由所述基片释放部分所述材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅源公司，未经硅源公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98804976.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在衬底中制造具有抬高的漏的晶体管的方法
- 下一篇：制造多层陶瓷基片的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
