[发明专利]含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法无效
| 申请号： | 91103490.0 | 申请日： | 1988-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1023786C | 公开（公告）日： | 1994-02-16 |
| 发明（设计）人： | 迪罗·威斯;汉斯-杰尔·克来诺;玛塞鲁斯·波克特;马丁·布吕克 | 申请（专利权）人： | 赫彻斯特股份公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/58;C08G77/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 周中琦 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及由新型聚硅氮烷加工成含四氮化三硅的陶瓷材料的方法和该陶瓷材料本身。为了制备该聚硅氮烷，用结构式为RSiCl2-NR′-SiCl2R的Si，Si′-二有机基-N-烷基-四氯-二硅氮烷与氨反应。然后可将该聚硅氮烷热解为含四氮化三硅的陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备含四氮化三硅的陶瓷材料的方法，该方法包括使结构式如下的聚硅氮烷在800-1400℃下在惰性气氛中进行热解：式中，R、R·、R··和R···可以相同或不同，R、R·、R··和R···为C1-4烷基、乙烯基或苯基，R′为C1-4烷基，x和y表示这两种结构单元的摩尔分数且x+y=1和x=0.7-0.95。
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