[发明专利]具有侧面扩散的沟槽插塞的半导体器件在审
| 申请号： | 202311146054.4 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN116936609A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 沈明德;张庭芳;吕奎良;林文彬 | 申请（专利权）人： | 力特保险丝公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/76;H01L21/763;H01L21/761;H01L21/74;H01L21/762;H01L29/861;H01L29/866;H01L29/868;H01L29/872;H01L27/08;H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及具有侧面扩散的沟槽插塞的半导体器件。一种半导体器件结构，可以包括衬底，该衬底具有包括第一掺杂剂类型的衬底基底；部署在衬底基底的表面上的半导体层，该半导体层包括第二掺杂剂类型并具有上表面；以及半导体插塞组件，包括部署在半导体层内的半导体插塞，该半导体插塞从半导体层的上表面起延伸并且具有至少等于半导体层的厚度的深度，半导体插塞具有第一边界并且具有第二边界，该第一边界在半导体层内形成，该第二边界在半导体层内形成并且部署成与第一边界相对，其中第一边界和第二边界垂直于衬底基底的表面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧面 扩散 沟槽 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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