[发明专利]基于面接触的光电探测器及芯片、硅基光子芯片在审
申请号: | 202310984373.6 | 申请日: | 2023-08-07 |
公开(公告)号: | CN116936646A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 宋泽国;郝沁汾 | 申请(专利权)人: | 无锡芯光互连技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开基于面接触的光电探测器及其芯片、硅基光子芯片,基于面接触的光电探测器包括:间隔预设距离的第一波导和第二波导;第一波导接收入射光并将接收的光耦合至第二波导中;第二波导的形状为环形;衬底层用于进行掺杂;第一掺杂区在衬底层的设定区域通过掺杂形成;环形光吸收层位于第一掺杂区的表面,且与第二波导的内壁无缝相邻,用于接收第二波导传输的光信号,并使接收的光信号在环形光吸收层中往返传播进而发生全反射形成谐振,环形光吸收层的折射率大于第二波导的折射率;第二掺杂区由环形光吸收层表面掺杂扩散至环形光吸收层内部。本发明可提高光电探测器的线性度,也可降低光电探测器的寄生参数,提高了光电探测器的带宽。 | ||
搜索关键词: | 基于 接触 光电 探测器 芯片 光子 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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