[发明专利]化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法在审
| 申请号： | 202310938576.1 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116926679A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张伟;窦富良;李栋婵;李军;李诚达 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/02;C30B33/00 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明为一种化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶薄膜的方法。该方法在以硒粉、三氧化钨为前驱体的基础之上加入氯化钠作为辅助生长剂，采用双温区加热可以控制硒粉、三氧化钨与氯化钠混合物各自的温度，制备大面积多层的硒化钨单晶薄膜；同时提供了一种硒化钨薄膜转移的方法，通过湿法转移技术，将二硒化钨薄膜从基底上面剥离下来，转移到更适合特定应用的基底上。本发明生长的硒化钨晶体具有高质量和均匀性，可以实现对硒化钨的形貌和尺寸、材料纯度和成分的控制；转移工艺简单且质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 生长 多层 二硒化钨单晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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