[发明专利]一种电子束辐照掺杂石墨烯的方法及其在辐伏同位素电池中的应用在审
申请号: | 202310913195.8 | 申请日: | 2023-07-25 |
公开(公告)号: | CN116926512A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 王晓彧;韩运成;何厚军;冯加明 | 申请(专利权)人: | 湖北科技学院 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/48;C23C16/26;G21H1/06 |
代理公司: | 武汉明正专利代理事务所(普通合伙) 42241 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 437000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开一种电子束辐照掺杂石墨烯的方法及其在辐伏同位素电池中的应用。该电子束辐照掺杂石墨烯的方法,包括步骤:S1、利用化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法在铜基或镍基表面生长石墨烯;S2、利用电子加速器设备对上述铜基或镍基石墨烯表面进行电子束辐照;S3、通过衬底剥离技术,将辐照掺杂后的石墨烯与铜基或镍基衬底分离,从而得到电子束辐照掺杂石墨烯。同时提供一种电子束辐照掺杂石墨烯在辐伏同位素电池中的应用。本发明不仅能实现石墨烯材料半导体性能的有效调控,同时能够保证石墨烯辐伏同位素电池的长期稳定运行,为电子束辐照掺杂石墨烯工业化生产和加工以及石墨烯辐伏同位素电池的商业化应用提供技术支持。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子束 辐照 掺杂 石墨 方法 及其 同位素 电池 中的 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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