[发明专利]一种硅异质结太阳能电池铜金属化的方法在审
申请号: | 202310885236.7 | 申请日: | 2023-07-18 |
公开(公告)号: | CN116936689A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 孙善富;张春福;程鹏飞;王莹麟;郝熙东;许录平 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0224;C23C28/02;C23C18/40;C23C18/18;C25D3/38;C25D7/12 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 刘世权 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种硅异质结太阳能电池铜金属化的方法,涉及晶硅太阳能电池及半导体制造技术领域,包括S1、将图形化硅异质结太阳能电池进行镀前处理;S2、通过化学镀铜方法在图形化硅异质结太阳能电池的透明导电薄膜上进行化学镀铜工艺制备种子层;S3、然后再将图形化硅异质结太阳能电池进行铜电镀工艺处理,得到金属铜电极。本发明设计合理,提供的先化学镀铜再电镀铜的硅异质结太阳能电池金属化方法,可控制铜栅线宽度小于30μm,真正实现硅异质结太阳能电池的降本增效。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅异质结 太阳能电池 金属化 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的