[发明专利]一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法在审
| 申请号： | 202310868663.4 | 申请日： | 2023-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116936630A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张雪;冯猛;周韧林;杨焕荣;吴芃逸 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 聂俊伟 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法，晶体管外延结构包括：依次设置的硅衬底、隔离薄膜、外延层、以及贯穿所述外延层和所述隔离薄膜的玻璃通孔，所述玻璃通孔通过TGV刻蚀得到，所述TGV刻蚀采用当刻蚀至所述隔离薄膜时，将剩余刻蚀时间缩短至预设的薄膜刻蚀时间的方式进行，所述薄膜刻蚀时间为依据隔离薄膜的刻蚀速率得到的时间。本发明中的晶体管外延结构能够较好地避免晶体管TGV刻蚀过度或过量，使得硅衬底表面台面高低基本一致，降低器件间电流泄露的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 外延 结构 防止 tgv 刻蚀 过度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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