[发明专利]深沟槽隔离结构的制备方法在审
| 申请号： | 202310736059.6 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116487320A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 唐念;刘文虎;张青;张拥华;李荷莉 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 范伟民 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种深沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一个衬底，且在所述衬底上刻蚀出若干个初沟槽，所述初沟槽以第一深度探入至所述衬底；在所述初沟槽上沉积多晶半导体材料，和/或非晶半导体材料的中间转换层，所述中间转换层覆盖所述初沟槽的侧壁和槽底；将所述中间转换层氧化为中间氧化层，且以所述中间氧化层作为硬掩膜刻蚀所述初沟槽，得到以第二深度探入至所述衬底的深沟槽；在所述深沟槽内填充隔离材料以形成隔离层。本申请在深沟槽隔离结构形成过程中，采用中间转换层消除半导体衬底表面的晶向差异，使得对应不同晶面的半导体衬底上的介质层厚度更为均匀，满足后续工艺对均匀性的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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