[发明专利]一种无片外电容LDO低功耗瞬态响应增强电路在审

专利信息
申请号: 202310732318.8 申请日: 2023-06-20
公开(公告)号: CN116931634A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 李海鸥;奥鹏龙;王媛 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 代理人: 白洪
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种无片外电容LDO低功耗瞬态响应增强电路,在LDO的输出电压发生跳变时,产生上冲电压信号或者下冲电压信号;上冲峰值放大电路在LDO的输出电压上冲时,根据上冲电压信号产生上冲峰值放大信号;下冲峰值放大电路在LDO的输出电压下冲时,根据下冲电压信号产生下冲峰值放大信号;放电电路根据下冲峰值放大信号,提供了一条额外的功率管栅极到地的放电电路,控制LDO功率管的栅极快速放电,来实现LDO的快速瞬态响应;充电电路根据上冲峰值放大信号,提供了一条额外的电源到功率管栅极的充电通路,控制LDO功率管的栅极快速充电,解决现有片外电容LDO的瞬态响应较慢的问题。
搜索关键词: 一种 外电 ldo 功耗 瞬态 响应 增强 电路
【主权项】:
暂无信息
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