[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202310732298.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116940124A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;侯泰成;高苇昕;蔡馥郁;谢晋阳;翁宸毅;张境尹;蔡滨祥;李昆儒;李志岳;吕佳霖;陈俊隆;廖琨垣;赖育聪;黄伟豪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一超低介电常数介电层于第一MTJ上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第一超低介电常数介电层并形成一受损层于第一超低介电常数介电层上，再形成一第二超低介电常数介电层于该受损层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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