[发明专利]一种晶圆级玻璃通孔TGV检测及工艺参数优化方法在审
| 申请号： | 202310694345.0 | 申请日： | 2023-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN116936390A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 方艳阳;潘红日;周建红 | 申请（专利权）人： | 深圳市圭华智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G01B11/12;G01B11/24;G01B11/26 |
| 代理公司： | 深圳市添源创鑫知识产权代理有限公司 44855 | 代理人： | 于标 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆级玻璃通孔TGV检测及工艺参数优化方法，该方法包括激光诱导孔的检测步骤，蚀刻后TGV通孔的检测步骤，以及工艺参数的优化步骤。本发明的有益效果是：本发明克服了传统显微检测不能通过玻璃顶面检测通孔全貌的弊病，充分借助正在使用的生产设备和检测设备，通过使用便捷的方式制作并检测微孔纵剖面的方法获得了较为完善的检测数据，通过对检测数据的统计学处理，结合实际生产需要对处理过的数据进行优选，即可得出最佳工艺参数。将已确定的最佳工艺参数逐一代入下一轮优化过程，可进一步获得剩余工艺参数的优化，此过程不断循环，最终可获得全部工艺参数的优化，也可以只选择最关注的工艺参数进行优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 玻璃 tgv 检测 工艺 参数 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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