[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202310074050.3 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116940121A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金宰浩;金在泽;高汉娜 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H10B43/50;H10B41/35;H10B41/27;H10B41/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 杨雪玲;叶朝君 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第二下绝缘层；虚设层叠物，其位于第二下绝缘层上；源极结构，其布置在与第二下绝缘层基本相同的高度；单元层叠物，其位于源极结构上；多个接触插塞，其穿过虚设层叠物；以及虚设接触件，其穿过虚设层叠物的一部分并布置在接触插塞之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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