[实用新型]一种氢氟酸刻蚀硅片的装置有效
申请号: | 202222730812.4 | 申请日: | 2022-10-17 |
公开(公告)号: | CN218385247U | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 夏新中;潘明翠;翟金叶;孟庆超;王红芳;郎芳 | 申请(专利权)人: | 英利能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人: | 赵宝琴 |
地址: | 071051 河北省保定*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,属于半导体器件技术领域。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,包括酸液槽、多组滚轮以及加热丝,酸液槽用于盛装氢氟酸;多组滚轮转动安装在酸液槽内,用于传输硅片;滚轮的上表面低于氢氟酸的液面;加热丝安装在滚轮上,用于对硅片的下表面进行加热。本实用新型提供的一种氢氟酸刻蚀硅片的装置,加热丝产生的热量能够提升壳体、壳体周边以及硅片下表面的温度,只在化学反应的局部产生热量,而并非对整个酸液槽都进行加热,可大大降低热能的消耗,可大幅降低氢氟酸的挥发量,减少氢氟酸的浪费,提高了化学反应的界面处的温度,加快了反应速率,得以提升传输速度,提升设备产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 氢氟酸 刻蚀 硅片 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的