[发明专利]基于单源蒸镀制备钙钛矿吸收层的方法及全绒面钙钛矿/晶硅异质结叠层电池的制备在审
| 申请号： | 202211570374.8 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN116156978A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;李世彬;郑朝月 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H10K71/16 | 分类号： | H10K71/16;H10K71/40;H10K30/50;H10K30/10;H10K71/12;H01L31/0236;H01L31/074;H01L31/18;H10K39/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313001 浙江省湖州市吴兴区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种基于单源蒸镀制备钙钛矿吸收层的方法及全绒面钙钛矿/晶硅异质结叠层电池的制备。首先通过热蒸发将钙钛矿前驱体材料沉积到全绒面晶硅电池衬底上，接着通过旋涂法或浸泡法，将MAI/FAI的异丙醇溶液覆盖到上述样品表面，最后通过退火形成均匀稳定、保形的钙钛矿吸收层。本发明采用的单源蒸镀法可将钙钛矿薄膜均匀覆盖在绒面衬底上，制备工艺简单可控。同时，该方法与晶硅异质结电池产线兼容，便于全绒面钙钛矿/晶硅异质结叠层电池的制备与推广。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单源蒸镀 制备 钙钛矿 吸收 方法 全绒面钙钛矿 晶硅异质结叠层 电池 | ||
【主权项】：
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