[发明专利]晶圆的热处理装置有效
| 申请号： | 202210913995.5 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115206848B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李海卫;冀建民;刘春峰;么曼实 | 申请（专利权）人： | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 王一;武晨燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、第一微波发生器、第二微波发生器、泵体和加热部。腔体具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁沿竖直方向间隔开设有第一开口和第二开口，第二侧壁上开设有第三开口，第一开口与第三开口沿水平方向相对设置且与腔体内部的腔室连通；第一微波发生器与第一开口连接；第二微波发生器与第二开口连接；托盘设置在腔室内；泵体与第三开口连接；加热部与腔体连接。根据本公开的技术，通过设置在不同位置的第一微波发生器和第二微波发生器，可以实现对等离子体输送至腔室内的位置和气体的类型进行调整，增加了晶圆热处理工艺调解的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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