[发明专利]一种多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器有效
| 申请号： | 202210539500.7 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114910988B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 程立文;王鑫龙;钱沁宇;王钦华 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器，在基底上依次设有锗层和硅光栅，在硅光栅上设有周期排列的铁纳米方柱阵列。在硅光栅的各行硅结构上表面，沿光栅长度方向，铁纳米方柱的高度成波浪状排列，且相邻两个铁纳米方柱高度差为dh；相邻两行硅结构上的铁纳米方柱的高度排列步调相反。本发明的完美吸收器采用的材料为成本低廉的Fe、Ge、Si，结构相对简单，并将吸收波段进一步扩大，实现了从紫外波段到近红外波段非常高的吸收。在采用理想参数情况下，实现在200nm‑2200nm波段平均96.8％的吸收率，其中490nm‑510nm达到99.96％的吸收峰值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多重 纳米 阵列 宽带 完美 吸收 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学，未经扬州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210539500.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
