[发明专利]一种存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210348971.X | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116940213A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;张云森;赵超 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种存储器及其制备方法，所述存储器包括：基底；底电极；存储位元；保护层，所述保护层包括多个带有通孔的第一盖帽，所述第一盖帽设置在所述底电极的侧壁和所述存储位元的侧壁上，所述第一盖帽的通孔允许所述存储位元顶部露出；顶电极层，所述顶电极层包括多个第二盖帽，所述第二盖帽设置在所述第一盖帽的侧壁和顶部以及所述存储位元的顶部上，所述顶电极层与所述存储位元电连接。本申请的存储器的顶电极层包括第二盖帽，可以提高顶电极层的尺寸，增加后续金属互联工艺的窗口，并为存储位元提供保护作用，而且制备方法简单，能够有效解决顶电极‑存储位元对位套刻难以对准的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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